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本セミナーでは、パワーエレクトロニクス (電力変換) 、パワー半導体の基礎から解説し、次世代パワー半導体の種類と特徴、パワー半導体の最新応用例について解説いたします。

本セミナーでは、5G・6G用の部品・プリント基板に求められる特性、無線の基礎・高周波・ミリ波特性・AiPなどを詳解いたします。

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージングの最新動向を紹介し、2026年5月に終えたECTC2026の中からチップレット/インターポーザやラージパネル、ハイブリッド接合および光電融合などを中心にハイライトを行います。
ECTC2026の総発表件数447件 (ポスター195件含む) からハイブリッド接合63件、CPO23件他、10件以上の注目発表をピックアップして解説する予定です。

本セミナーでは、5G・6G用の部品・プリント基板に求められる特性、無線の基礎・高周波・ミリ波特性・AiPなどを詳解いたします。

本セミナーでは、国策により量・質共に、急成長中の中国製SiCについて取り上げ、研究開発、技術戦略策定で知っておきたい中国パワー半導体の最新動向を解説いたします。

本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。

本セミナーでは、シリコンウェハなどの基板をマイナス数十度からマイナス百数十度の極低温に冷却しながら行う次世代ドライエッチング技術「クライオプラズマエッチング」の実用化に向けた課題と可能性について詳解いたします。

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、シリコンウェハなどの基板をマイナス数十度からマイナス百数十度の極低温に冷却しながら行う次世代ドライエッチング技術「クライオプラズマエッチング」の実用化に向けた課題と可能性について詳解いたします。

本セミナーでは、半導体サプライチェーンなどの基礎知識からスタートし、日本や米国における輸出管理規制のねらい・内容と対応ポイントを分かりやすく整理して解説いたします。
また、AI/GPU/データセンターをめぐる規制など、新たな動向も解説いたします。