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本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、自動運転や電気自動車の性能を左右する車載半導体 (コンピュータ、センサ、パワー半導体) について取り上げ、半導体の基礎体系から開発環境・品質上の注意点、今後の動向予測まで解説いたします。

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体に使用されている電子部品に要求される特性を満足するために重要なシート成形、積層、脱脂、焼成といった一連のプロセスにおける留意点を解説いたします。
特に、シート成形における、バインダー組成、可塑剤、添加剤などの選択方法、考え方について詳しく解説いたします。

本セミナーでは、高周波高速伝送基板向けの低誘電材料、平滑導体との接着・接合技術、先端パッケージ向けハイブリッドボンディング・サブストレート・インターポーザ、および封止材料、感光材、基板材料など、先端半導体パッケージの開発事例に基づく最新の技術動向を解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスの製造に欠かせない有機フッ素化合物 (PFAS) について取り上げ、PFASに関連する規制、現在の対応状況、今後の展開について詳解いたします。
また、半導体の技術、市場のトレンドとPFAS規制の関係、PFAS処理と代替材料の動向についても解説いたします。

本セミナーでは、半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説いたします。

本セミナーでは、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、その他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向まで解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージ技術について取り上げ、半導体パッケージ技術の進化から、製造方法、使用部材などについて詳細に解説いたします。
また、チップレット等の最新のパッケージ技術についても解説し、その目的や課題についても解説いたします。

本セミナーでは、めっきの基礎から解説し、半導体・エレクトロニクスへの応用技術、非水溶媒のめっき、環境調和型のめっきなど、最新めっき技術について解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体で要求される洗浄技術・乾燥技術について取り上げ、洗浄技術・乾燥技術の基礎、課題と対策について解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。