tech-seminar.jp

本セミナーでは、ドライエッチング、ウェットエッチング、および原子層エッチングについて、エッチングの原理から、各種材料への応用、技術動向、そして最先端の開発事例までを、メーカで各種半導体製造のエッチングプロセス開発に携わってきた講師が、実経験を交えて分かり易く解説いたします。

本セミナーでは、プラズマの性質やプラズマ中で起こっている基本的な現象 (電離、解離、拡散、消滅) を解説するとともに、半導体微細加工において重要なパラメータとなる壁へのイオンや化学活性種のフラックス量がどのような過程で決定づけられているかを説明いたします。

本セミナーでは、汚染物質と微粒子がデバイス性能に与える影響を明らかにし、そのために必要なテクノロジーを解説いたします。

本セミナーでは、半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを解説・紹介いたします。

本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

　本セミナーでは、AEC-Q100に準拠した試験を実施する場合の留意点と、問題点、対応方法について概説いたします。また、TS16949, VDA6.3等、規格の車載用集積回路認定ガイドラインの動向と、各種信頼性試験の必要性と問題点について詳解いたします。

本セミナーでは、講師の研究成果を題材に、原子層堆積法の特に表面反応を中心とした機構について解説いたします。
また、最新研究成果として3D-CoolALD (室温三次元成膜ALD) による各種酸化物膜の室温形成技術について解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの基礎から最近のパッケージの動向としてSiP, WLP, FOWLP, TSV技術などを例に解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ/ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

本セミナーでは、半導体製造における枚葉式洗浄機とバッチ式洗浄機の流れについて可視化観察例等を流れの特徴と問題点を考察を踏まえながら解説いたします。