技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、MLCCで実際に発生する故障事例をもとにその原因と対策手法を解説いたします。
また、開発・製造する側も使用する側も知っておきたい信頼性確保の考え方について解説いたします。
本セミナーでは、半導体デバイスに用いられる様々な接合技術とその評価技術について基礎から応用までを解説いたします。
本セミナーでは、電子回路テストの概要からバウンダリスキャンやウェーハプローブテスト技術、新たなTSVの接合・接続評価技術などについて詳しく解説いたします。
本セミナーでは、パワーエレクトロニクス (電力変換) 、パワー半導体の基礎から解説し、次世代パワー半導体の種類と特徴、パワー半導体の最新応用例について解説いたします。
本セミナーでは、半導体デバイスに用いられる様々な接合技術とその評価技術について基礎から応用までを解説いたします。
シリコンCMOS技術の物理的限界やAIの消費電力増大を背景に、ニューロモルフィックコンピューティングや物理リザバー、インセンサコンピューティングなどの次世代AIハードウェア技術と、それらを実現するナノ材料AIデバイスが注目されています。
本セミナーでは、ニューロモルフィックコンピューティング、物理リザバー、インセンサコンピューティングの基礎から研究開発動向、ナノ材料AIデバイスの構築・評価・実装技術、AIロボティクスやフィジカルAIへの応用まで解説いたします。
ノイズ対策は「部品を追加する」よりも、「設計段階で発生させない」ことが重要です。
本セミナーでは、部品配置や配線、層構成、電源・GND設計など、プリント基板設計で実践すべきノイズ対策を、なぜその設計が有効なのかという物理的根拠とともに解説します。
さらに、EMC対策部品の選定、基板設計者との連携方法、効率的な原因解析や再現性のある対策手法まで、現場で役立つ実践ノウハウを習得いただけます。
本セミナーでは、パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga2O3まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説いたします。
本セミナーでは、パワーエレクトロニクス (電力変換) 、パワー半導体の基礎から解説し、次世代パワー半導体の種類と特徴、パワー半導体の最新応用例について解説いたします。
「試作してからノイズ対策」では、開発期間やコストは大きく膨らみます。
本セミナーでは、プリント基板で発生するノイズを単なる経験則ではなく、電磁気・高周波現象として理解し、設計段階で対策を織り込むための考え方を基礎から解説いたします。
伝送線路、リターン電流、電源・GND設計、部品選定など、EMCを考慮した回路・基板設計のポイントを体系的に習得いただけます。
本セミナーでは、長年DRAM製造現場でCMP装置を運用してきた講師が、200mm→300mm時代の装置大型化・高精度化の要点、研磨メカニズムの基礎、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、実例に基づくトラブル対策の「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務までを一気通貫で解説いたします。
本セミナーでは、5G・6G用の部品・プリント基板に求められる特性、無線の基礎・高周波・ミリ波特性・AiPなどを詳解いたします。
本セミナーでは、半導体パッケージングの最新動向を紹介し、2026年5月に終えたECTC2026の中からチップレット/インターポーザやラージパネル、ハイブリッド接合および光電融合などを中心にハイライトを行います。
ECTC2026の総発表件数447件 (ポスター195件含む) からハイブリッド接合63件、CPO23件他、10件以上の注目発表をピックアップして解説する予定です。
本セミナーでは、長年DRAM製造現場でCMP装置を運用してきた講師が、200mm→300mm時代の装置大型化・高精度化の要点、研磨メカニズムの基礎、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、実例に基づくトラブル対策の「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務までを一気通貫で解説いたします。
本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。
本セミナーでは、5G・6G用の部品・プリント基板に求められる特性、無線の基礎・高周波・ミリ波特性・AiPなどを詳解いたします。
本セミナーでは、電子回路におけるノイズ発生 (発生源) ・ノイズ伝播・ノイズ障害の原理・メカニズムとノイズ対策について基礎から解説いたします。
本セミナーでは、国策により量・質共に、急成長中の中国製SiCについて取り上げ、研究開発、技術戦略策定で知っておきたい中国パワー半導体の最新動向を解説いたします。
本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。
本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。
本セミナーでは、シリコンウェハなどの基板をマイナス数十度からマイナス百数十度の極低温に冷却しながら行う次世代ドライエッチング技術「クライオプラズマエッチング」の実用化に向けた課題と可能性について詳解いたします。
本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。
本セミナーでは、微細化の限界が迫る中、多層配線・Post-Cu材料・Low-k・TSV・チップレットなど、次世代デバイスを支える核心技術を2日間で整理。最新動向と実例を交えて詳細に解説します。