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本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

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SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、プラズマによる表面改質から加工原理までを解説し、単結晶・多結晶ダイヤモンド、SiC、GaN、AlN焼結材料への最新適用事例について紹介いたします。

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、半導体洗浄について取り上げ、パーティクル付着のメカニズムと除去技術を解説いたします。
高圧スプレー、二流体スプレー、メガソニック・超音波、ブラシ洗浄の特徴と使い分け、洗浄条件を設定するときの考え方について解説いたします。

本セミナーでは、半導体後工程の基礎・各プロセスの技術から注目の2.5D/3Dパッケージングとチップレット技術について、開発当時の失敗や苦労、得られた代表的な知見などを講師の経験も踏まえて解説いたします。

本セミナーでは、エレクトロニクス実装における表面・界面の設計について取り上げ、ナノ〜ミリメートルの表面・界面設計の重要性、接合性を支配する表面・界面の基礎と評価、非真空・低温接合プロセス、グリーンプロセスを見据えた分離技術、先端半導体への展開について詳解いたします。

本セミナーでは、先端半導体で要求される洗浄技術、課題について解説いたします。
また、残渣除去性の評価、表面酸化状態の解析と、その注意点について解説いたします。

本セミナーでは、半導体洗浄について取り上げ、パーティクル付着のメカニズムと除去技術を解説いたします。
高圧スプレー、二流体スプレー、メガソニック・超音波、ブラシ洗浄の特徴と使い分け、洗浄条件を設定するときの考え方について解説いたします。

本セミナーでは、半導体ウェハの研磨について取り上げ、効率的な研磨に向けた研磨液、パッド、スラリーや、加工技術の動向について解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、TSV・TGV形成に向けためっき技術について取り上げ、微細・高アスペクト比構造への充填、密着性向上、膜形成技術および先端半導体パッケージの高密度化を実現する銅めっき・シード形成技術を詳解いたします。