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本セミナーでは、半導体封止剤について取り上げ、半導体パッケージの封止法、半導体封止材の設計と評価、5G対応で求められる材料特性について詳解いたします。

本セミナーでは、モータ振動・計測・評価、モータ電磁騒音、永久磁石モータ騒音、ファン騒音、システム装置騒音など、モータ騒音・振動と低減対策について、講師の長年の経験と研究に基づき、事例を交えて、分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、5G・6G・高周波の基礎知識と5G・6G対応材料の課題とその解決策について解説いたします。

本セミナーでは、エッチング技術の基礎から解説し、クライオエッチング技術の基礎、クライオエッチングのハードウェア、クライオALEについて詳解いたします。

酸化物半導体は、IGZOの実用化をはじめ、低温形成・高移動度・透明性・低リーク電流といった特長から、モノリシック3D集積化や三次元DRAM・NANDなど、三次元集積デバイス応用へ注目が集まっており、研究開発が急速に進展しています。
本セミナーでは、酸化物半導体の材料物性・プロセス技術・デバイス特性の基礎を整理しながら、三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説いたします。

本セミナーでは、先端パッケージングの全体像・技術動向、先端パッケージ分野における日本の強み・課題と取るべき成長戦略、RDLインターポーザ技術の基礎と応用、ICEP・ECTC国際学会からのRDLインターポーザ最新潮流について詳解いたします。

本セミナーでは、5G・6G・高周波の基礎知識と5G・6G対応材料の課題とその解決策について解説いたします。

本セミナーは、半導体デバイスの物理的洗浄に関して基礎から解説いたします。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga2O3まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説いたします。

本セミナーでは、接触理論・アーク理論・摺動摩耗理論 、接点材料の変遷と勘所、 接点加工のプロセスと押さえどころ、接点の故障モード・発生機構、具体的な対策について、長年の経験と研究に基づき、実践的に詳しく解説いたします。

本セミナーでは、GaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga2O3まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。