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本セミナーでは、新しいパワーデバイス半導体の材料として大きな注目を浴びている酸化ガリウム (Ga2O3) について、2名の講師がそれぞれの見地から解説いたします。
第1部では、5つの結晶多形ごとの異なる特徴や薄膜形成技術、またそれぞれの課題などについて説明いたします。
第2部では、酸化ガリウム (Ga2O3) の主要な薄膜形成手法であるミストCVDに焦点をあて、その概要とミストCVDによって作製した酸化ガリウム薄膜、酸化ガリウム半導体デバイスの特性等について解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイス, 酸化ガリウムパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。

本セミナーでは、半導体の主要アプリケーション、半導体製品、そして主な半導体メーカーの戦略に注目して、半導体市場の現状を解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイス, 酸化ガリウムパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイス, 酸化ガリウムパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイス, 酸化ガリウムパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、SiC、GaNと比較して高耐圧・低消費電力、低コスト化が期待される酸化ガリウムパワーデバイスについて、その材料とデバイスの基礎から最先端の開発状況を、当該技術を主導する2名の講師が解説いたします。

本セミナーでは、シリコン、ＳｉＣ、ＧａＮデバイスと比較しながら、酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と課題について、学会等での内容を紹介しながら丁寧に解説いたします。