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本セミナーでは、国策により量・質共に、急成長中の中国製SiCについて取り上げ、研究開発、技術戦略策定で知っておきたい中国パワー半導体の最新動向を解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体の社会実装の状況やSiCウェハ製造技術の開発動向、課題、産業動向まで分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、半導体のサプライチェーンや製造プロセスなどの基本的な知識から、日本・米国・オランダにおける輸出管理制度の最新動向、規制強化の背景や国ごとの戦略的意図も踏まえつつ、企業が今取るべき対応の方向性を具体的に解説いたします。
また、中国ビジネスを継続するにあたっての留意点や、企業内でのリスク管理体制の構築にも触れ、輸出管理の実務対応の強化や事業企画、法務・コンプライアンスについて解説いたします。

本セミナーでは、半導体封止材の役割を起点とし、固形封止材 (EMC) における原材料構成や役割、液状封止材 (CUF) の要求特性やEMCとの比較について解説いたします。
また、パワー半導体向け封止材を対象として、設計方針、材料技術、評価技術だけでなく、成型方式の進化や、AIサーバー等に使用される先端PKG向け封止材の設計・改良指針についても解説いたします。

本セミナーでは、宇宙用半導体デバイスについて取り上げ、宇宙で発生する3つの放射線影響、照射試験装置の仕様、宇宙用半導体デバイスの耐放射線性評価技術について詳解いたします。

本セミナーでは、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスの動向や市場予測を解説いたします。

本セミナーでは、宇宙用半導体デバイスについて取り上げ、宇宙で発生する3つの放射線影響、照射試験装置の仕様、宇宙用半導体デバイスの耐放射線性評価技術について詳解いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスの微細化に伴い、ブレイクスルーが求められるクリーン化技術、洗浄・乾燥技術について取り上げ、歩留まり向上のための実践ノウハウについて、基礎から最先端技術までを豊富な事例を交えて分かりやすく解説いたします。
また、先端半導体製造ラインにおける汚染の実態や防止策についても多数の実例写真で紹介いたします。

本セミナーでは、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスの動向や市場予測を解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、半導体機能素子の製造技術に使用されている「ドライプロセス・装置」および「真空・プラズマ技術」について基礎から解説いたします。
特に真空蒸着、スパッタリング、CVD、ALDによる成膜技術および薄膜を微細加工するドライエッチング技術を解説いたします。
合わせて、ドライプロセスの基盤となっている真空・プラズマ技術に関して解説いたします。

本セミナーでは、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説いたします。