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本セミナーでは、半導体配線・パッケージングに不可欠な銅めっき技術について取り上げ、無電解銅めっきの反応・浴管理・皮膜物性・安定化の考え方から、電気銅めっきの適用技術まで体系的に解説いたします。
無電解銅めっきが難しい理由とその制御のポイントを理解し、半導体実装への適用に必要な技術的な見方・押さえどころを習得いただけます。

本セミナーでは、ドライエッチングの基礎から解説し、エッチング工程のばらつき、異常を防ぐ考え方と制御方法について詳解いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの基礎から解説し、最近のパッケージの動向としてSiP, WLP, FOWLP, TSV技術、最新の3Dパッケージなどを例に解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説いたします。
さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察いたします。

本セミナーでは、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、ドライエッチングの基礎から解説し、エッチング工程のばらつき、異常を防ぐ考え方と制御方法について詳解いたします。

本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説いたします。

本セミナーでは、バンドギャップが大きくなるほど評価困難になる欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法について、従来の評価技術と比較しながら測定原理から応用例までわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、半導体封止材の役割を起点とし、固形封止材 (EMC) における原材料構成や役割、液状封止材 (CUF) の要求特性やEMCとの比較について解説いたします。
また、パワー半導体向け封止材を対象として、設計方針、材料技術、評価技術だけでなく、成型方式の進化や、AIサーバー等に使用される先端PKG向け封止材の設計・改良指針についても解説いたします。

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

本セミナーでは、フォトレジストに求められる要求特性とそれを達成するための材料設計をメインに、フォトレジストの基礎から評価、適用されるアプリケーション、トラブルの原因と対策について具体的に解説いたします。