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本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイス, 酸化ガリウムパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。

本セミナーでは、電子機器の熱設計に必要な伝熱工学の基礎知識について解説いたします。
また、プリント配線板の放熱方法、密閉・自然空冷・強制空冷筐体の放熱方法、放熱部品の使用上の注意について解説いたします。

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの基礎から最近のパッケージの動向としてSiP, WLP, FOWLP, TSV技術などを例に解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイスのパッケージング技術について取り上げ、パワーデバイスのパッケージ・放熱構造および封止材料の基本、高発熱対策のための「新規基板」、「界面材料 (境膜材料・密着材料) 」、「封止材料の改良」、最先端パワーモジュール (通信高速化対策・車載用高温動作保証/ECU保護) のパッケージ技術を中心に現状課題と今後の技術を解説いたします。

本セミナーでは、半導体シリコンエピタキシャル成長の主要な原料であるクロロシランを使う系を対象とし、成長過程の根幹である化学反応とガス流れを中心に解説いたします。

本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から、重要な要素技術、装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説いたします。