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ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性

ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性

~実用化へ着々と開発が進む次世代半導体の現状とその将来性を探る / 酸化ガリウム、ダイヤモンドの開発状況と実用化への課題~
東京都 開催

概要

本セミナーでは、理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる究極のパワーデバイス材料として注目されるダイヤモンド半導体について基礎から解説いたします。
ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発状況・課題と、講師が世界で初めて実現した反転層ダイヤモンドMOSFETについて合わせて解説いたします。

開催日

  • 2019年10月21日(月) 10時00分 17時00分

プログラム

 ダイヤモンドは、その見た目の美しさから宝石としてはもちろんのこと、物質中最高の硬度や熱伝導率を有することから切削工具やヒートシンクとしても広く知られており、近年では航空機等にも用いられている炭素繊維強化プラスチック (CFRP) 用の加工工具やパワーデバイス用のヒートスプレッダ/ヒートシンク材として期待されている。一方で、ダイヤモンドは絶縁破壊電界やキャリア移動度も極めて高いことから、理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる究極のパワーデバイス材料であり、日本やフランス、ドイツ、アメリカを中心にパワーデバイス応用・社会実装に向けた研究が行われている。
 今回、ダイヤモンドパワーデバイスに関して、昨今の研究開発状況・課題について、また、我々が世界で初めて実現した反転層ダイヤモンドMOSFETについても合わせて紹介する。

  1. ダイヤモンドの魅力と必要性
  2. ダイヤモンド半導体研究の歴史と最近の動向
  3. ダイヤモンドウェハに関する研究開発動向
    1. 成長技術
      1. 高温高圧合成
      2. プラズマCVD
      3. 熱フィラメントCV
    2. 不純物ドーピング技術
    3. 加工技術
      1. エッチング
      2. 研磨、カット、スライス
  4. ダイヤモンドダイオードに関する研究開発動向
    1. 金属と半導体ダイヤモンドの接触
    2. SBD
    3. PND (PIND)
    4. Shottky – PND (SPND)
  5. ダイヤモンドトランジスタに関する研究開発動向
    1. BJT
    2. JFET
    3. MESFET
    4. MOSFET
      1. 表面伝導層チャネルMOSFET
      2. Deep Depletion MOSFET
      3. 反転層チャネルMOSFET
  6. その他のダイヤモンドデバイスに関する研究開発動向
    1. 量子デバイス・センサ
    2. 真空スイッチ
    3. その他
    • 質疑応答

講師

  • 徳田 規夫
    金沢大学 ナノマテリアル研究所
    教授 (リサーチプロフェッサー)

会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図

主催

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受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
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複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
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