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本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

SiC、GaNを超える『究極の半導体材料』として挙げられるダイヤモンド。
ダイヤモンド半導体にはダイヤモンド半導体にしかない稀有な半導体特性も持っています。
本セミナーでは、ダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発した講師がその魅力・最新動向について解説いたします。

本セミナーでは、洗浄技術の基礎から歩留改善のための技術について経験豊富な講師がわかりやすく解説いたします。
また、次世代の汚染制御・洗浄乾燥技術についても解説いたします。

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、AI・IoT社会のさらなる発展に向けて、車載半導体やビッグデータ処理などへの応用を想定し、シリコン貫通電極 (TSV) や裏面埋設配線 (BBM) の製造技術、チップやウエハの接合技術を含めた3次元集積実装技術の研究開発と、その国家プロジェクトや最新の技術動向について解説いたします。

本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイス集積化の基幹技術であるマイクロバンプ、再配線、FOWLPの基礎プロセスについて概説し、三次元集積化、再配線の微細化、FOPLPへの拡張に伴う課題の論点を明確化し、今後の市場動向、技術動向を予測いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの基礎から最近のパッケージの動向としてSiP, WLP, FOWLP, TSV技術などを例に解説いたします。

本セミナーでは、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスについて取り上げ、現在のパワーデバイスとの比較した際のメリット、開発状況、市場に普及するためのポイント、今後の開発動向について詳解いたします。

本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から、重要な要素技術、装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説いたします。