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酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

~期待を集めるGa2O3デバイスの基礎から開発事例、課題・展望を解説~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説いたします。

開催日

  • 2021年7月27日(火) 13時00分 17時00分

修得知識

  • Ga2O3物性の基礎知識
  • 各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報
    • バルク融液成長
    • エピタキシャル薄膜成長
    • デバイス
      • トランジスタ
      • ショットキーバリアダイオード

プログラム

 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
 本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

  1. はじめに
    1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
    2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
  2. Ga2O3バルク融液成長技術
  3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
    1. MBE成長
    2. HVPE成長
    3. MOCVD成長
  4. Ga2O3トランジスタ開発
    1. 横型MESFET
    2. 横型DモードMOSFET
    3. 横型フィールドプレートMOSFET
    4. 縦型DモードMOSFET
    5. 縦型EモードMOSFET
    6. 海外のGa2O3 FET開発動向
  5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
    1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
    2. 縦型フィールドプレートSBD
    3. 縦型ガードリングSBD
    4. 海外のGa2O3 SBD開発動向
  6. まとめ、今後の課題
    • 質疑応答

主催

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: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信セミナーについて

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  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。

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