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本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。

本セミナーでは、GaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説いたします。

本セミナーでは、半導体洗浄の基礎から解説し、水の動きを一つの軸として半導体洗浄が直感でわかるようになるポイント、半導体洗浄にまつわる課題と対策・未然防止策を解説いたします。

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、寿命をもつ電子部品の故障モード、電子部品に欠陥を内在した場合の寿命故障モード、寿命予測の考え方、部品ごとの寿命予測法について様々なやり方を実務的・現実的に、事例・データを交えて解説いたします。

本セミナーでは、半導体洗浄の基礎から解説し、水の動きを一つの軸として半導体洗浄が直感でわかるようになるポイント、半導体洗浄にまつわる課題と対策・未然防止策を解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの構造や伝熱経路、シミュレーション技術を解説いたします。
また、半導体の熱設計の考え方、3次元シミュレーションを用いる際の注意点や半導体のモデル化に関する動向について解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、半導体デバイスに用いられる様々な接合技術とその評価技術について基礎から応用までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説いたします。