技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、次世代パワーデバイスについて取り上げ、現在のパワーデバイスとの比較した際のメリット、開発状況、市場に普及するためのポイント、今後の開発動向について詳解いたします。
(2021年6月30日 10:30〜12:00)
2020年、コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け回復の見通しは全く不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、たとえば、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。最近ではカリフォルニア州が2035年までに州内でのガソリン車の新車販売を禁止するとの発表をするなど、EVシフト化への要求は極めて大きい。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンIGBTの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。
(2021年6月30日 13:00〜14:30)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、物性面での課題について述べた後、最新のデバイス (トランジスタ、ダイオード) 研究開発の状況、実用化に向けた展望などについて解説する。
(2021年6月30日 14:45〜16:15)
ダイヤモンドは、物質中最高の硬度や熱伝導率を有し、更に極めて高い絶縁破壊電界やキャリア移動度を持つことことから、理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる、カーボンニュートラルの実現に資する次世代パワーデバイス材料である。そのため、日本やフランス、ドイツ、アメリカを中心にパワーデバイス応用・社会実装に向けた研究が活発に行われている。我々の研究グループでは、高速成長を用いたダイヤモンドウェハの開発、炭素固溶を用いたダイヤモンドエッチング技術の開発、そして2016年に世界で初めて反転層ダイヤモンドMOSFETの開発をしてきた。
今回、ダイヤモンドウェハから、プロセス、そして半導体デバイスに関する昨今の研究開発状況・課題について紹介する。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
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| 発行年月 | |
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