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本セミナーでは、レジストの基礎からリソグラフィープロセスの最適化方法までを分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージ技術の基礎から、FOWLP, CoWoS技術について詳しく解説いたします。

本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説いたします。
特にSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントについて、丁寧に解説いたします。

　本セミナーでは、AEC-Q100に準拠した試験を実施する場合の留意点と、問題点、対応方法について概説いたします。また、TS16949, VDA6.3等、規格の車載用集積回路認定ガイドラインの動向と、各種信頼性試験の必要性と問題点について詳解いたします。

　電子デバイスでは民生機器の低収益性から、高品質を要求される車載用半導体に注目が集まっています。車載用半導体では、民生品以上に厳しい環境条件、品質条件が要求され、認定のための信頼性試験でも厳しい条件が要求されます。
　半導体の信頼性認定ガイドラインとしては、米国ビッグ3 が中心になって策定され、今や世界標準になっているAEC – Q100/101 があります。AEC – Q100 は、車載用半導体集積回路を認定するための信頼性試験規格で、必要サンプル数の多さや試験時間の長さから評価コストが膨大になるという問題があります。その一方で、日本発の車載認定ガイドラインとしてJEITA ED – 4708 が2011 年に発行され、2016 年12 月にIEC で可決され国際標準化されました。
　本セミナーでは、AEC – Q100に準拠した試験を実施する場合の留意点と、問題点、対応方法について概説します。また、今後IEC化される日本版のAEC – Q100 規格EDR – 4708 について、考え方、使い方について詳細に説明します。更に、車載用半導体を製造、販売するにあたって知っておくべき国際規格として、品質システムではIATF16949、工程監査ではVDA6.3 等の規格があり、独LV324 等も注目されています。これらの車載用集積回路認定ガイドラインの動向、各種信頼性試験の必要性と問題点と知っておくべき国際規格についても、半導体メーカの立場から詳細に解説致します。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージ技術の基礎から、FOWLP, CoWoS技術について詳しく解説いたします。

本セミナーでは、レジスト塗布技術の基礎から密着性を含む現像特性を説明し、レジスト剥離工程において従来の剥離技術、及び新規な環境に優しいレジスト剥離 (除去) 技術について紹介いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージ技術の基礎から、最新FOWLP技術について詳しく解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。
さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察する。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、Si, SiC, GaNパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。