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本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説いたします。
さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスに用いられる様々な接合技術とその評価技術について基礎から応用までを解説いたします。

本セミナーでは、MLCC開発で求められる技術、設計の考え方を概説いたします。
主にNi内部電極MLCCで薄層素子を形成するBaTiO3 (BT) 粉末の合成およびBT誘電体セラミックスの設計指針として、格子欠陥の生成、ドナーやアクセプター元素などによる異種元素置換による格子欠陥制御など、熱力学的考察を交えて材料組成開発に係わる組成設計を説明いたします。

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

本セミナーでは、めっき技術について基礎から解説し、めっき技術のノウハウ、非水溶媒を使った新しいめっき技術や環境への注意・対策、最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの構造や伝熱経路、シミュレーション技術を解説いたします。
また、半導体の熱設計の考え方、3次元シミュレーションを用いる際の注意点や半導体のモデル化に関する動向について解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体で要求される洗浄技術、課題について解説いたします。
また、残渣除去性の評価、表面酸化状態の解析と、その注意点について解説いたします。