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本セミナーでは、微細化の限界が迫る中、多層配線・Post-Cu材料・Low-k・TSV・チップレットなど、次世代デバイスを支える核心技術を2日間で整理。最新動向と実例を交えて詳細に解説します。

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、半導体製造プロセスにおけるAI・生成AI活用を、制御系設計とセンサーデータ解析の両面から解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響から結晶欠陥の評価手法までを解説いたします。

本セミナーでは、プラズマによる表面改質から加工原理までを解説し、単結晶・多結晶ダイヤモンド、SiC、GaN、AlN焼結材料への最新適用事例について紹介いたします。

本セミナーでは、プラズマによる表面改質から加工原理までを解説し、単結晶・多結晶ダイヤモンド、SiC、GaN、AlN焼結材料への最新適用事例について紹介いたします。

酸化物半導体は、IGZOの実用化をはじめ、低温形成・高移動度・透明性・低リーク電流といった特長から、モノリシック3D集積化や三次元DRAM・NANDなど、三次元集積デバイス応用へ注目が集まっており、研究開発が急速に進展しています。
本セミナーでは、酸化物半導体の材料物性・プロセス技術・デバイス特性の基礎を整理しながら、三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説いたします。

本セミナーでは、光半導体の種類や用途、パッケージング・封止技術について基礎から解説いたします。
また、OLED、ミニ・マイクロLED、QD/QLED等の次世代ディスプレイや高速通信システムにおけるパッケージング技術の課題や開発の方向性を解説いたします。

本セミナーでは、光半導体の種類や用途、パッケージング・封止技術について基礎から解説いたします。
また、OLED、ミニ・マイクロLED、QD/QLED等の次世代ディスプレイや高速通信システムにおけるパッケージング技術の課題や開発の方向性を解説いたします。