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酸化物半導体は、IGZOの実用化をはじめ、低温形成・高移動度・透明性・低リーク電流といった特長から、モノリシック3D集積化や三次元DRAM・NANDなど、三次元集積デバイス応用へ注目が集まっており、研究開発が急速に進展しています。
本セミナーでは、酸化物半導体の材料物性・プロセス技術・デバイス特性の基礎を整理しながら、三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説いたします。

本セミナーでは、半導体と製造工程の基礎から、装置・材料への要求、AIによる製造技術の変化、地政学と2030年までの業界展望までを体系的に解説いたします。

本セミナーでは、Cu/Low-k配線の基礎と、2nm世代以降で顕在化する抵抗増大・信頼性劣化の限界要因を整理したうえで、Ru/AG (Airgap) 配線や裏面電源配線 (BSPDN) など次世代配線技術の最新動向をわかりやすく解説いたします。

量子コンピュータの実現に向けた研究開発が進む中、既存の半導体産業との親和性から「半導体量子ビット」が注目されています。
本セミナーでは、半導体量子ビットの原理から、高忠実度化・高集積化に向けた最新の研究開発動向、材料・制御・回路等の周辺技術、大規模化等の技術課題、連携開発、展望までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの基礎から最近のパッケージの動向としてSiP, WLP, FOWLP, TSV技術などを例に解説いたします。

本セミナーでは、Cu/Low-k配線の基礎と、2nm世代以降で顕在化する抵抗増大・信頼性劣化の限界要因を整理したうえで、Ru/AG (Airgap) 配線や裏面電源配線 (BSPDN) など次世代配線技術の最新動向をわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、シリコンウェハなどの基板をマイナス数十度からマイナス百数十度の極低温に冷却しながら行う次世代ドライエッチング技術「クライオプラズマエッチング」の実用化に向けた課題と可能性について詳解いたします。

本セミナーでは、電子回路テストの概要からバウンダリスキャンやウェーハプローブテスト技術、新たなTSVの接合・接続評価技術などについて詳しく解説いたします。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス (電力変換) 、パワー半導体の基礎から解説し、次世代パワー半導体の種類と特徴、パワー半導体の最新応用例について解説いたします。

シリコンCMOS技術の物理的限界やAIの消費電力増大を背景に、ニューロモルフィックコンピューティングや物理リザバー、インセンサコンピューティングなどの次世代AIハードウェア技術と、それらを実現するナノ材料AIデバイスが注目されています。
本セミナーでは、ニューロモルフィックコンピューティング、物理リザバー、インセンサコンピューティングの基礎から研究開発動向、ナノ材料AIデバイスの構築・評価・実装技術、AIロボティクスやフィジカルAIへの応用まで解説いたします。

本セミナーでは、長年DRAM製造現場でCMP装置を運用してきた講師が、200mm→300mm時代の装置大型化・高精度化の要点、研磨メカニズムの基礎、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、実例に基づくトラブル対策の「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務までを一気通貫で解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージングの最新動向を紹介し、2026年5月に終えたECTC2026の中からチップレット/インターポーザやラージパネル、ハイブリッド接合および光電融合などを中心にハイライトを行います。
ECTC2026の総発表件数447件 (ポスター195件含む) からハイブリッド接合63件、CPO23件他、10件以上の注目発表をピックアップして解説する予定です。