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本セミナーでは、パワー半導体実装の熱疲労について取り上げ、劣化要因を切り分けるために種々の機械負荷試験を用いた材料強度や劣化進行性、解析結果 (FEAを含む) を元に、どのように熱信頼性設計へ繋げられるかを、銀焼成接合劣化評価を事例に解説いたします。
特に、従来の「四点曲げ試験」に加え、独自性の高い「九点曲げ試験」の特徴、FEAによる解析手法までを介し、実用的な信頼性評価の手法を習得することを目的としております。

本セミナーでは、Cu/Low-k配線の基礎と、2nm世代以降で顕在化する抵抗増大・信頼性劣化の限界要因を整理したうえで、Ru/AG (Airgap) 配線や裏面電源配線 (BSPDN) など次世代配線技術の最新動向をわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの基礎から最近のパッケージの動向としてSiP, WLP, FOWLP, TSV技術などを例に解説いたします。

本セミナーでは、Cu/Low-k配線の基礎と、2nm世代以降で顕在化する抵抗増大・信頼性劣化の限界要因を整理したうえで、Ru/AG (Airgap) 配線や裏面電源配線 (BSPDN) など次世代配線技術の最新動向をわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、電子回路テストの概要からバウンダリスキャンやウェーハプローブテスト技術、新たなTSVの接合・接続評価技術などについて詳しく解説いたします。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス (電力変換) 、パワー半導体の基礎から解説し、次世代パワー半導体の種類と特徴、パワー半導体の最新応用例について解説いたします。

シリコンCMOS技術の物理的限界やAIの消費電力増大を背景に、ニューロモルフィックコンピューティングや物理リザバー、インセンサコンピューティングなどの次世代AIハードウェア技術と、それらを実現するナノ材料AIデバイスが注目されています。
本セミナーでは、ニューロモルフィックコンピューティング、物理リザバー、インセンサコンピューティングの基礎から研究開発動向、ナノ材料AIデバイスの構築・評価・実装技術、AIロボティクスやフィジカルAIへの応用まで解説いたします。

本セミナーでは、長年DRAM製造現場でCMP装置を運用してきた講師が、200mm→300mm時代の装置大型化・高精度化の要点、研磨メカニズムの基礎、パッド・スラリー・終点検知などコア技術の管理手法、実例に基づくトラブル対策の「型」、そしてCMP後洗浄の設計と実務までを一気通貫で解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージングの最新動向を紹介し、2026年5月に終えたECTC2026の中からチップレット/インターポーザやラージパネル、ハイブリッド接合および光電融合などを中心にハイライトを行います。
ECTC2026の総発表件数447件 (ポスター195件含む) からハイブリッド接合63件、CPO23件他、10件以上の注目発表をピックアップして解説する予定です。

本セミナーでは、国策により量・質共に、急成長中の中国製SiCについて取り上げ、研究開発、技術戦略策定で知っておきたい中国パワー半導体の最新動向を解説いたします。

本セミナーでは、EUVリソグラフィ用光源開発の最新動向から最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について解説いたします。
また、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィから、各露光装置について、レジスト材料の原理までを解説いたします。

本セミナーでは、微細化の限界が迫る中、多層配線・Post-Cu材料・Low-k・TSV・チップレットなど、次世代デバイスを支える核心技術を2日間で整理。最新動向と実例を交えて詳細に解説します。