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本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、寿命をもつ電子部品の故障モード、電子部品に欠陥を内在した場合の寿命故障モード、寿命予測の考え方、部品ごとの寿命予測法について様々なやり方を実務的・現実的に、事例・データを交えて解説いたします。

本セミナーでは、半導体洗浄の基礎から解説し、水の動きを一つの軸として半導体洗浄が直感でわかるようになるポイント、半導体洗浄にまつわる課題と対策・未然防止策を解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの構造や伝熱経路、シミュレーション技術を解説いたします。
また、半導体の熱設計の考え方、3次元シミュレーションを用いる際の注意点や半導体のモデル化に関する動向について解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、半導体デバイスに用いられる様々な接合技術とその評価技術について基礎から応用までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの構造や伝熱経路、シミュレーション技術を解説いたします。
また、半導体の熱設計の考え方、3次元シミュレーションを用いる際の注意点や半導体のモデル化に関する動向について解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体で要求される洗浄技術、課題について解説いたします。
また、残渣除去性の評価、表面酸化状態の解析と、その注意点について解説いたします。

本セミナーでは、半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説いたします。

本セミナーでは、基本的なアナログ回路の考え方、放熱設計等の基本的な実装設計、センシング回路の基本の設計手法、トラブル発生時等に役立つ「アナログ的な」考え方について、事例を交えわかりやすく解説いたします。