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本セミナーでは、AEC-Q100に準拠した試験を実施する場合の留意点と問題点、日本版のAEC-Q100規格EDR-4708について詳細に説明いたします。
また、最近の話題として、EV用のパワー半導体が注目されており、特にSiCデバイスが普及期にありますが、信頼性の課題もあり、SiCデバイスの最近の話題について説明いたします。

本セミナーでは、単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの基礎から最近のパッケージの動向としてSiP, WLP, FOWLP, TSV技術などを例に解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスについて取り上げ、現在のパワーデバイスとの比較した際のメリット、開発状況、市場に普及するためのポイント、今後の開発動向について詳解いたします。

本セミナーでは、チップレットへ向けたパッケージ形態の動向と基板材料への要求特性を詳解いたします。

本セミナーでは、先端半導体で要求される洗浄技術、課題について解説いたします。
また、残渣除去性の評価、表面酸化状態の解析と、その注意点について解説いたします。

本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術、そして最先端の原子層エッチング技術までを、メーカで化合物半導体光デバイスの製造プロセスやシリコンLSI向けエッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

本セミナーでは、半導体製造における枚葉式洗浄機とバッチ式洗浄機の流れについて可視化観察例等を流れの特徴と問題点を考察を踏まえながら解説いたします。

本セミナーでは、電子機器の熱設計に必要な伝熱工学の基礎知識について解説いたします。
また、プリント配線板の放熱方法、密閉・自然空冷・強制空冷筐体の放熱方法、放熱部品の使用上の注意について解説いたします。

本セミナーでは、ドライエッチング、ウェットエッチング、および原子層エッチングについて、エッチングの原理から、各種材料への応用、技術動向、そして最先端の開発事例までを、メーカで各種半導体製造のエッチングプロセス開発に携わってきた講師が、実経験を交えて分かり易く解説いたします。

本セミナーでは、国内大手半導体メーカーや海外装置メーカー、海外研究機関での経験豊富な講演者が、次世代半導体デバイスのための2.5D/3D集積化技術、それを支える実装・材料・冷却技術の詳細を解説いたします。