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半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

~フォトレジストの基本原理 (光化学反応・溶解性) / ポジ型・ネガ型レジスト / レジストとSi基板の密着性向上 / レジストの現像特性と評価 / HMDS処理と感度・現像特性への影響 / EUVリソグラフィの特徴と課題 / EUV・メタルレジスト材料の動向 / PFAS規制の影響とPFASフリーレジストの開発動向~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、レジストの基本原理から材料設計、Si基板との密着性、現像特性評価、プロセス最適化までを解説し、レジスト材料・プロセスの考え方を紹介いたします。
第2部では、量産適用が進むEUVリソグラフィ技術に焦点を当て、EUVレジスト特有の課題や材料開発の最新動向、メタルレジストの可能性を解説いたします。さらに近年注目されるPFAS規制がレジスト材料に与える影響と、PFASフリー材料の開発動向についても紹介いたします。

配信期間

  • 2026年4月3日(金) 10時30分2026年4月16日(木) 16時30分

お申し込みの締切日

  • 2026年4月3日(金) 10時30分

受講対象者

  • レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
  • 半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
  • レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

  • レジストの基礎知識
  • レジスト材料のノウハウ
  • レジストプロセスのトラブル対処法
  • リソグラフィー技術のビジネス動向
  • リソグラフィとフォトレジスト材料の基礎と歴史
  • EUVレジスト開発の現状

プログラム

第1部 レジスト材料・プロセスの評価

(10:30〜14:30)

 本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について紹介する。
 半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用する。

  1. 半導体とレジストについて
    1. 半導体の微細化
    2. 電子デバイスの製造工程
    3. レジスト解像度とレジスト材料の変遷
    4. 半導体プロセスにおける各種レジスト
    5. レジストに要求される特性
  2. レジストの基本原理
    1. レジストの基本原理 (光化学反応)
    2. レジストの現像特性 (溶解性)
    3. リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
    4. i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
    5. KrF用,ArF用レジスト (化学増幅型)
    6. レジストの解像度向上
  3. レジストとSi基板との密着性について
    1. レジストの密着性の向上
    2. HMDSの感度特性への影響
  4. ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
    1. レジストの現像特性の評価
    2. レジストの分子量と溶解特性の関係
    3. レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
    4. プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
    5. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価
    • 質疑応答

第2部 EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響

(14:45〜16:30)

 30年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついに2019年EUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は序章、課題山積であり6年を経過した今なおレジストメーカーによる活発な開発が行われている。
 本セミナーでは、EUVフォトレジスト材料に関し、その特有の課題の解説および各種材料の最新動向を解説するとともに、近年話題となっているPFAS規制のレジストへの影響に関し解説する。

  1. リソグラフィ微細化の歴史
    1. リソグラフィ概要
    2. 露光波長短波化による微細化の歴史
    3. それをささえるフォトレジスト材料の進化
  2. EUVリソグラフィ
    1. 歴史、反応機構の特徴
    2. EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か?
    3. 化学増幅型レジストによる高性能化
    4. メタルレジストとは?その特徴と例
  3. PFAS規制の影響
    1. PFAS規制とは
    2. PFAS規制のレジスト材料への影響
    3. PFAS freeレジストの開発動向
    • 質疑応答

講師

  • 堀邊 英夫
    大阪公立大学 大学院 工学研究科 物質化学生命系専攻 化学バイオ分野
    教授, 学長特別補佐
  • 藤森 亨
    富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ研究所
    シニアエキスパート

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,200円 (税別) / 42,020円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

  • 「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
  • お申し込み前に、 視聴環境 をご確認いただき、 視聴テスト にて動作確認をお願いいたします。
  • 別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
  • 視聴期間は2026年4月3日〜16日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナー資料は印刷・送付いたします。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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