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本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイス、ダイヤモンドパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、ALD技術について、原理、メカニズムから応用技術までを解説いたします。
また、薄膜形成の原理、堆積メカニズム、原料の特徴から形成された薄膜の特性・物性、適用可能な事例まで幅広く解説いたします。

本セミナーでは、半導体封止材について役割、構成成分、使われ方、原材料の役割や特徴などを基礎から説明いたします。
また、先端半導体について4つのカテゴリーに分類し、材料に求められる機能や開発状況、及び今後の課題について報告いたします。

本セミナーでは、洗浄技術の基礎から歩留改善のための技術について経験豊富な講師がわかりやすく解説いたします。
また、次世代の汚染制御・洗浄乾燥技術についても解説いたします。

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、半導体封止剤について取り上げ、エポキシ樹脂の変性技術、半導体パッケージの封止法、半導体封止材の設計と評価、5G対応で求められる材料特性について詳解いたします。

本セミナーでは、封止材料の配合設計・製造技術 (ボールミル条件、混合条件等) から、その成形技術 (装置選択や成形条件) に至るまで、半導体パッケージングの実務知識・ノウハウを解説いたします。

本セミナーでは、ウェットエッチング加工特性に影響する要因とその制御方法やグリーン化への取り組みを詳解いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを解説・紹介いたします。

本セミナーでは、薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマの生成機構や特徴について解説いたします。
また、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法など解説いたします。