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本セミナーでは、半導体の基礎をはじめ、集積回路の最も基本となるMOSトランジスタの構造から動作原理、微細化と作製方法などを学び、現在・未来の集積化の動向まで分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、ウェットエッチング加工特性に影響する要因とその制御方法やグリーン化への取り組みを詳解いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを解説・紹介いたします。

本セミナーでは、薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマの生成機構や特徴について解説いたします。
また、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法など解説いたします。

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説いたします。

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスとその製造方法 (前工程) 、最新のデバイス動向や市場動向について、基礎からわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマの生成機構や特徴について解説いたします。
また、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法など解説いたします。

本セミナーでは、AI・IoT社会のさらなる発展に向けて、車載半導体やビッグデータ処理などへの応用を想定し、シリコン貫通電極 (TSV) や裏面埋設配線 (BBM) の製造技術、チップやウエハの接合技術を含めた3次元集積実装技術の研究開発と、その国家プロジェクトや最新の技術動向について解説いたします。

本セミナーでは、ウェットエッチング加工特性に影響する要因とその制御方法やグリーン化への取り組みを詳解いたします。

本セミナーでは、半導体洗浄を取り上げ、前半は半導体のウェット洗浄技術の基礎からCMPおよび後洗浄プロセスのトレンドなど応用用途について俯瞰いたします。
後半では、CMP後洗浄剤の機能設計、評価・解析手段について解説いたします。