技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、SiCとSiO2の界面で生じる諸現象を、SiCの酸化反応や窒化反応だけでなく、様々な表面反応に着目して解説し、各種の界面形成プロセスの効果やその課題について理解を深めます。
SiCパワーMOSFETの性能を最も大きく左右する技術の1つは、ゲート絶縁膜となるSiO2とSiCチャネルとの界面形成技術である。SiO2の形成に伴うSiCとSiO2の界面反応に加え、界面形成後の界面修飾がゲートスタックの性能を決定する。
本講座では、SiCとSiO2の界面で生じる諸現象を、SiCの酸化反応や窒化反応だけでなく、様々な表面反応に着目して解説し、各種の界面形成プロセスの効果やその課題について理解を深めます。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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2024/2/26 | EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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