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本コースは、「パワーデバイス基礎・技術動向」と「高耐熱封止樹脂」のセミナーをセットにしたコースです。
セット受講で特別割引にてご受講いただけます。
2テーマ 通常受講料 : 92,340円(税込) → 2コース申込 割引受講料 76,950円(税込)

本セミナーでは、これまでのプリウスの受動素子における周波数特性、温度特性、ESR特性の洗い出しから、今後、従来の5倍以上の周波数帯域で必要となる素子・材料の性能を具体的に詳解いたします。

本セミナーでは、車載実用化に向けて何が原因なのか、どのように劣化したのか、から具体的な欠陥抑制対策まで解説いたします。

本セミナーでは、IGBT,MOSFETの基本的な駆動方法から,スイッチング素子を使い切るための熱設計,高速スイッチング素子特有の実装方法,ノイズ対策など幅広く解説いたします。

本セミナーでは、SiC半導体技術の礎となるSiC単結晶エピタキシャル基板について、その開発の背景、パワーデバイスへの応用、製造・高品質化技術を説明し、将来動向と今後取り組むべき課題について議論いたします。

本セミナーでは、耐熱性を向上させるための高分子設計のアプローチ、モジュールの開発状況について解説いたします。

本セミナーでは、スマートグリッド、太陽光発電、風量発電、電気自動車、鉄道、昇降機に不可欠な電力変換技術について詳解いたします。

本セミナーでは、SiCやGaNなどの次世代パワーデバイスに必要な高分子材料について、封止材・放熱部材など、高耐熱・高熱伝導や、小型化、大容量化に適応する高分子材料技術と開発動向を最前線で活躍する講師4人が徹底解説いたします。