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SiCパワーデバイスの劣化要因解明と信頼性評価

車載実用化に向けて、ますます求められる長期信頼性

SiCパワーデバイスの劣化要因解明と信頼性評価

~ゲート絶縁膜/SiC界面の破壊メカニズム~
東京都 開催 会場 開催

概要

本セミナーでは、車載実用化に向けて何が原因なのか、どのように劣化したのか、から具体的な欠陥抑制対策まで解説いたします。

開催日

  • 2015年5月28日(木) 10時00分 16時20分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • パワーデバイスの本質
  • SiCパワー半導体の特徴

プログラム

Siパワーデバイスの信頼性問題解決経緯はSiCパワーデバイスに生かせ得るか

(2015年5月28日 10:00〜11:20)

  1. パワーデバイスの本質
  2. Siパワーデバイスの実用化経緯の概略 (サイリスタ→GTO, パワートランジスタ→IGBT)
  3. Siパワートランジスタ, GTOの実用化を妨げた問題と解決策
    1. 初期耐圧
    2. 長期信頼性 (モールドパッケージでの耐圧保持)
    3. 二次破壊
    4. パッケージ
  4. IGBTの実用化に約10年掛かった理由
  5. SiC, GaNパワーデバイスの問題点
  6. SiCデバイスの解決策?
  7. Wide Band Gap半導体とは何か?
  8. パワーデバイスの今後の展望
    • 質疑応答

FTIRによるSiCと熱酸化膜の界面構造の解析

(2015年5月28日 11:30〜12:50)

  1. SiCパワー半導体の特徴
    1. パワーデバイスの用途
    2. SiCを用いることの利点
    3. SiCパワーMOSFETの現状
  2. MOSFETと熱酸化プロセス
    1. MOSFETの動作とゲートスタック
    2. 熱酸化によるゲート絶縁膜の形成
  3. SiCパワーMOSFETの高性能化技術 (2)
  4. SiCの熱酸化によるゲート絶縁膜形成
    1. SiCの熱酸化における問題点
    2. SiCの熱酸化機構と速度論
    3. SiCの熱酸化の熱力学
  5. SiC/ゲート絶縁膜の界面欠陥抑制技術の開発
    1. 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計
    2. SiC MOS界面特性と欠陥低減技術
  6. SiCパワーMOSFET技術の将来展望
    1. SiCパワーMOSFETの技術動向と将来展望
    2. SiC用ゲート絶縁膜形成技術の将来展望
    • 質疑応答

SiC基板上に形成した熱酸化膜の界面特性 および信頼性劣化要因の解明

(2015年5月28日 13:30〜14:50)

 SiC 表面の熱酸化過程と界面原子構造の評価に加え,SiC-MOS デバイスの電気特性劣化との関係を調べた結果について紹介する。またSiO2/SiC 界面のエネルギーバンド構造解析から,基板面方位や酸化膜厚の違いによるSiC-MOS デバイスの信頼性劣化現象について講演する。

  1. SiC 表面の熱酸化過程
  2. SiO2/SiC 界面構造と電気特性との相関
  3. SiO2/SiC 界面のエネルギーバンド構造
  4. 堆積絶縁膜を用いたSiC-MOS デバイスの可能性
  5. まとめと今後の展望
    • 質疑応答

パワーデバイスの環境試験と 信頼性加速試験方法

(2015年5月28日 15:00〜16:20)

  1. パワーデバイスの市場動向
    1. パワーエレクトロニクスとパワーデバイス
    2. パワーデバイスの応用範囲
    3. 高耐圧化と低オン抵抗化の要求
  2. 信頼性試験の種類と役割
    1. 信頼性試験の目的
    2. 信頼性試験の種類と役割
  3. 各種環境試験方法と信頼性加速性試験
    1. 耐熱・耐湿性評価方法と信頼性加速性試験
    2. 温度サイクル寿命と信頼性加速性試験
  4. パワーデバイス特有の不良モードと試験法
    1. パワーデバイスの主な故障モード
    2. パワーデバイスの主な市場故障モード分類
    3. 車の各部位と到達温度
    4. パワーサイクル試験法と不良モード
  5. AEC-Q100/101の紹介
    • 質疑応答

講師

  • 高田 育紀
    東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
    非常勤講師
  • 喜多 浩之
    東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻
    准教授
  • 細井 卓治
    大阪大学 大学院工学研究科 生命先端工学専攻
    助教
  • 瀬戸屋 孝
    株式会社 東芝 ストレージ & デバイスソリューション社
    品質統括責任者

会場

株式会社 技術情報協会

8F セミナールーム

東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図

主催

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お問い合わせ

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受講料

1名様
: 60,000円 (税別) / 64,800円 (税込)
複数名
: 56,000円 (税別) / 60,480円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 56,000円(税別) / 60,480円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 112,000円(税別) / 120,960円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 168,000円(税別) / 181,440円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。
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