技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、IGBT、SiC-MOSなどを搭載した最新のパワーモジュールの組立・実装技術の動向について、詳細に解説いたします。
本セミナーでは、燃料電池車の機構システム、昇圧DC-DCコンバータの基本回路構成・制御方式、DC-DCコンバータの冷却システム・ノイズ対策技術、次世代パワー半導体の課題と対応について解説いたします。
本セミナーでは、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説いたします。
本セミナーでは、IGBT、SiC-MOSなどを搭載した最新のパワーモジュールの組立・実装技術の動向について、詳細に解説いたします。
本コースは、「パワーデバイス基礎・技術動向」と「高耐熱封止樹脂」のセミナーをセットにしたコースです。
セット受講で特別割引にてご受講いただけます。
2テーマ 通常受講料 : 92,340円(税込) → 2コース申込 割引受講料 76,950円(税込)
本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。
本セミナーでは、これまでのプリウスの受動素子における周波数特性、温度特性、ESR特性の洗い出しから、今後、従来の5倍以上の周波数帯域で必要となる素子・材料の性能を具体的に詳解いたします。
本セミナーでは、シリコン、SiC、GaNデバイスと比較しながら、酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と課題について、学会等での内容を紹介しながら丁寧に解説いたします。
本セミナーでは、車載実用化に向けて何が原因なのか、どのように劣化したのか、から具体的な欠陥抑制対策まで解説いたします。
本セミナーでは、製品の信頼性確保から、樹脂封止製品開発に関わる着眼点を解説いたします。
本セミナーでは、IGBT,MOSFETの基本的な駆動方法から,スイッチング素子を使い切るための熱設計,高速スイッチング素子特有の実装方法,ノイズ対策など幅広く解説いたします。
本セミナーではHigh-k膜の基礎から解説し、高誘電率化のための材料設計、閾値シフトの原因と制御、Ge熱酸化機構と制御、SiC熱酸化機構と制御について詳解いたします。
本セミナーでは、電子部品の小型高信頼性を支える材料特性、パワーデバイスの熱疲労・絶縁寿命・高温・低温動作保障・材料評価、絶縁材料の劣化機構と評価方法について詳解いたします。
本セミナーでは、SiC半導体技術の礎となるSiC単結晶エピタキシャル基板について、その開発の背景、パワーデバイスへの応用、製造・高品質化技術を説明し、将来動向と今後取り組むべき課題について議論いたします。
本セミナーでは、最新パワーデバイスの技術動向とパッケージ技術、実装技術の全容について詳解いたします。
本セミナーでは、パワーデバイスについてSiCとGaN個別のターゲット分野とそれぞれのデバイス構造、課題、さらに有用性を引き出すために要求されるパッケージング等の周辺技術について詳解いたします。
本セミナーでは、耐熱性を向上させるための高分子設計のアプローチ、モジュールの開発状況について解説いたします。