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プラズマの基礎と半導体プロセス・エッチング入門

プラズマの基礎と半導体プロセス・エッチング入門

オンライン 開催

視聴期間は2023年12月5日〜19日を予定しております。
お申し込みは2023年12月15日まで承ります。

概要

本セミナーでは、薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマの生成機構や特徴について解説いたします。
また、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法など解説いたします。

開催日

  • 2023年12月15日(金) 12時30分 2023年12月19日(火) 16時30分

修得知識

  • 半導体プロセスに用いられるプラズマの特徴と基礎
  • プラズマCVDの原理
  • Si系薄膜の膜質制御の考え方
  • ドライエッチングの原理
  • 種々のエッチング手法

プログラム

 プラズマは、現在では産業の広い分野で日常的に使われています。しかし、プラズマの原理やプラズマを用いることの利点については、あまり系統的に学ぶ機会がないと思います。現在の応用だけでなく、今後道具としてさらにプラズマを利用していくためには、その物理的な考え方、特徴を理解することが不可欠になります。
 そこで、本セミナーでは、まず前半で薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマ (非平衡プラズマと呼ばれる) の生成機構や特徴について解説します。後半ではそれらを踏まえて、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて説明します。

  1. プラズマの基礎
    1. プラズマ中の衝突現象とその定量的な取り扱い
    2. 衝突反応の種類と反応速度定数の考え方
    3. Boltzmann方程式
    4. Boltzmann方程式から得られるプラズマの基礎方程式
      • 拡散方程式
      • 連続の式など
    5. プラズマの生成 (直流放電プラズマ)
    6. プラズマの生成 (容量性結合RF放電プラズマ)
    7. プラズマの生成 (誘導性結合RF放電プラズマ)
    8. プラズマの生成 (大気圧低温プラズマ)
  2. プラズマCVD
    1. プラズマCVDの特徴と原理 (アモルファスSi薄膜を中心に)
    2. 代表的なプラズマCVD装置
    3. 製膜パラメータの考え方
    4. アモルファスSi堆積条件と高品質化
  3. プラズマエッチング
    1. プラズマエッチングの特徴と原理
      • 等方性
      • 異方性
    2. 代表的なエッチング装置
    3. エッチングダメージ
    4. 終点検出の原理

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

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  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

アーカイブ配信セミナー

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  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2023年12月5日〜19日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
本セミナーは終了いたしました。

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