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SiCを中心とした半導体表面の構造・形態制御とメカニズム

SiCを中心とした半導体表面の構造・形態制御とメカニズム

~結晶構造とステップ・テラス構造といった表面形態、半導体表面の各種形態制御方法、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る新技術など~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

開催日

  • 2023年12月11日(月) 13時00分 16時30分

修得知識

  • 半導体表面形態の制御技術
  • 半導体表面におけるステップバンチング、アンバンチングのメカニズム
  • 半導体製造プロセスのコスト・時間を削減する技術

プログラム

 半導体とそれを使ったデバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素 (SiC) でも、それらは極めて重要である。SiC表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその0.25 nmが最小単位となる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御が重要である。
 本講演では、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として大いに注目されている。

  1. 半導体の結晶構造と表面形態
    1. 半導体の結晶構造とバンドギャップ
    2. SiCの結晶構造 3C,4H,6H-SiC
    3. SiCパワーデバイス
    4. 半導体表面のステップ・テラス構造
    5. SiCの結晶学的方位とステップ・テラス
    6. 結晶成長と表面形態
  2. 半導体表面形態制御方法
    1. 機械研磨
    2. 化学機械研磨 (CMP)
    3. 酸化膜形成とフッ化水素酸によるその除去
    4. 水素エッチング
    5. ステップバンチング現象
    6. SiCにおける2種類のステップバンチングとそのメカニズム
      1. エネルギー論的効果
      2. 速度論的効果
      3. 弾性論的効果
  3. SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
    1. SiC熱分解法によりグラフェン成長
    2. SiCの結晶学的方位によるグラフェン成長の関係
    3. SiC表面形態とグラフェン電子物性の関係
    4. ステップバンチングに及ぼすグラフェンの影響
  4. SiC表面のステップアンバンチング現象
    1. 加熱雰囲気によるSiC表面の変化
    2. SiC表面のステップバンチング
    3. SiC表面のステップアンバンチング
    4. アンバンチングメカニズムの考察
    5. ステップアンバンチング現象の応用可能性
      1. SiC半導体製造プロセスへの適用
      2. 他の半導体でのアンバンチング現象
    • 質疑応答

講師

  • 乗松 航
    早稲田大学 基幹理工学部 電子物理システム学科
    教授

主催

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受講料

1名様
: 30,900円 (税別) / 33,990円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,900円(税別) / 33,990円(税込)
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アカデミー割引

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  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

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  • お申し込み前に、 視聴環境テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
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  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
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  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。

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