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SiCパワー半導体 / SiC単結晶ウェハ技術の最前線

SiCパワー半導体 / SiC単結晶ウェハ技術の最前線

~SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開 / SiC半導体国際会議 (ICSCRM2023、2023年9月) での最新報告・動向~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

開催日

  • 2024年1月18日(木) 13時00分 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • SiCパワー半導体開発の現状と動向
  • SiC単結晶のバルク結晶成長
  • SiC単結晶ウェハの加工技術
  • SiCエピタキシャル薄膜成長技術
  • SiC単結晶中の拡張欠陥
  • SiC単結晶のウェハ加工
  • SiC単結晶ウェハの電気特性制御
  • SiC単結晶ウェハの高品質化

プログラム

 現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされています。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされていますが、パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用されています。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されていますが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠であります。
 本講演では、20239月にイタリアで開催されるSiC半導体国際会議 (ICSCRM2023) での最新報告・動向も含めて、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論します。商社、エンジニアリングメーカー、エンジンメーカー、工業炉メーカー、半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車開発技術者・技術企画担当者・営業担当者などの方々に向けたセミナーです。

  1. SiCパワー半導体開発の背景
    1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
    2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
  2. SiCパワー半導体開発の歴史
    1. SiCパワー半導体開発の黎明期
    2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
  3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
    1. SiCパワー半導体の市場
    2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
    3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
  4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
    1. SiC単結晶とは?
    2. SiC単結晶の物性と特長
    3. SiC単結晶の各種デバイス応用
  5. SiCパワーデバイスの最近の進展
    1. SiCパワーデバイスの特長
    2. SiCパワーデバイス (SBD、MOSFET) の現状
    3. SiCパワーデバイスのシステム応用
  6. SiC単結晶のバルク結晶成長
    1. SiC単結晶成長の熱力学
    2. 昇華再結晶法
    3. 溶液成長法
    4. 高温CVD法 (ガス法)
    5. その他成長法
  7. SiC単結晶ウェハの加工技術
    1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
    2. SiC単結晶の切断技術
    3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
  8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
    1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
    2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

講師

  • 大谷 昇
    関西学院大学 工学部 教授
    教授

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 47,000円 (税別) / 51,700円 (税込)
1口
: 60,000円 (税別) / 66,000円 (税込) (3名まで受講可)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。

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