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本セミナーでは、次世代パワー半導体として注目を集める「ダイヤモンド半導体」を取り上げ、 ダイヤモンド半導体の原理や物性などの基礎から、大口径ウエハの成長技術、特性を引き出すデバイス作製まで最新の研究成果を報告いたします。

本セミナーでは、新世代Siパワー半導体の開発動向について取り上げ、サプライチェーン全体のパワー半導体の動向、SiおよびWBGパワーデバイスの開発動向や将来展望を含めて解説いたします。

本セミナーでは、めっきの基礎から解説し、半導体・エレクトロニクスへの応用技術、非水溶媒のめっき、環境調和型のめっきなど、最新めっき技術について解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体で要求される洗浄技術、課題について解説いたします。
また、残渣除去性の評価、表面酸化状態の解析と、その注意点について解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージ技術について取り上げ、半導体パッケージ技術の進化から、製造方法、使用部材などについて詳細に解説いたします。
また、チップレット等の最新のパッケージ技術についても解説し、その目的や課題についても解説いたします。

本セミナーでは、SiCモジュールの採用増加・発熱密度上昇に対応するためのモジュールパッケージの高耐熱化・高信頼性化技術を取り上げ、新たな高性能材料や新しい製造プロセス、放熱性の高いモジュール構造について、業界動向・採用事例・学会発表の情報を元に解説いたします。

本セミナーでは、単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

本セミナーでは、AEC-Q100に準拠した試験を実施する場合の留意点と問題点、日本版のAEC-Q100規格EDR-4708について詳細に説明いたします。
また、最近の話題として、EV用のパワー半導体が注目されており、特にSiCデバイスが普及期にありますが、信頼性の課題もあり、SiCデバイスの最近の話題について説明いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

本セミナーでは、新しいパワー半導体として大きな可能性を秘めた二酸化ゲルマニウムを取り上げ、二酸化ゲルマニウムの基礎的な物性、現状の課題、将来性について詳細に解説いたします。

本セミナーでは、半導体封止剤について取り上げ、エポキシ樹脂の変性技術、半導体パッケージの封止法、半導体封止材の設計と評価、5G対応で求められる材料特性について詳解いたします。