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本セミナーでは、IGBT、SiC-MOSなどを搭載した最新のパワーモジュールの組立・実装技術の動向について、詳細に解説いたします。

本コースは、「パワーデバイス基礎・技術動向」と「高耐熱封止樹脂」のセミナーをセットにしたコースです。
セット受講で特別割引にてご受講いただけます。
2テーマ 通常受講料 : 92,340円(税込) → 2コース申込 割引受講料 76,950円(税込)

本セミナーでは、一般的な教科書や学会等で発表される論文でほとんど触れられることのないインバータの設計と制御のノウハウを織り交ぜながら、インバータに関する基礎的事項をしっかり身につけられるよう丁寧に解説します。

本セミナーでは、電気・電気回路について入門から基礎までをわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、電子部品の小型高信頼性を支える材料特性、パワーデバイスの熱疲労・絶縁寿命・高温・低温動作保障・材料評価、絶縁材料の劣化機構と評価方法について詳解いたします。

本セミナーでは、SiC半導体技術の礎となるSiC単結晶エピタキシャル基板について、その開発の背景、パワーデバイスへの応用、製造・高品質化技術を説明し、将来動向と今後取り組むべき課題について議論いたします。

本セミナーではパワーモジュールの基礎から解説し、熱による信頼性劣化の要因を事例を交えて詳細に説明いたします。
また、放熱に関連するアセンブリ、材料、冷却の最新動向と次世代IGBTモジュールのパフォーマンスについて紹介いたします。