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パワーデバイスの劣化と高信頼性化
パワーデバイスの劣化と高信頼性化
～推定寿命を狂わせる要因と次世代IGBTを詳解～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
開催日
- 2015年5月20日(水) 13時00分 ～ 16時30分
プログラム
- パワーデバイスの応用
- パワーデバイスの機能
- アプリケーション応用事例
- 要求事項
- まとめ
- 余談:
1つのアプリケーションでどの位の数のチップが使われているのだろうか?
- 現状のパワーデバイスの信頼性とアプリケーションへの影響:
推定寿命を狂わせる要因とは?- ワイヤボンディング、はんだに見られる劣化
- TIM (サーマルインターフェースマテリアル) に見られる劣化
- パワーサイクル、サーマルサイクルへの影響
- まとめ
- 余談: パワーサイクルの試験方法の違いによる影響
- パワーデバイスの最新動向 : 見えてきた耐熱デバイスの克服すべき課題
- ボンディングプロセスの応用事例
- 接合技術およびDCB基板の改善
- TIMの重要性
- クーリングシステムの改善
- 次世代IGBTモジュール
(.XTモジュール/IGBT5モジュール/RCモジュール) - まとめ
講師
- 二本木 直稔 氏インフィニオンテクノロジーズジャパン 株式会社 インダストリアルパワーコントロール事業本部
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
43,000円 (税別) / 46,440円 (税込)
1口
:
56,000円 (税別) / 60,480円 (税込)
(3名まで受講可)
割引特典について
- 複数名 同時受講:
1口 56,000円(税別) / 60,480円(税込) (3名まで受講可能)
本セミナーは終了いたしました。
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