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本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスに用いられる様々な接合技術とその評価技術について基礎から応用までを解説いたします。

本セミナーでは、メタマテリアルの概要から理解、実用的な設計法について詳解いたします。
メタマテリアルアンテナやメタサーフェスを用いた反射板、電波吸収体の性能を正しく理解することができます。

本セミナーでは、MLCC開発で求められる技術、設計の考え方を概説いたします。
主にNi内部電極MLCCで薄層素子を形成するBaTiO3 (BT) 粉末の合成およびBT誘電体セラミックスの設計指針として、格子欠陥の生成、ドナーやアクセプター元素などによる異種元素置換による格子欠陥制御など、熱力学的考察を交えて材料組成開発に係わる組成設計を説明いたします。

本セミナーでは、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、その他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向まで解説いたします。

本セミナーでは、半導体の新たな潮流として、オープン規格や標準仕様の検討が進むチップレットについて取り上げ、チップレット集積技術開発の背景、これまでの検討例、ECTC2022での話題も含めた最新動向、今後の方向性まで解説いたします。

本セミナーでは、半導体パッケージの構造や伝熱経路、シミュレーション技術を解説いたします。
また、半導体の熱設計の考え方、3次元シミュレーションを用いる際の注意点や半導体のモデル化に関する動向について解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく詳細に解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスに用いられる様々な接合技術とその評価技術について基礎から応用までを解説いたします。

本セミナーでは、MLCC開発で求められる技術、設計の考え方を概説いたします。
主にNi内部電極MLCCで薄層素子を形成するBaTiO3 (BT) 粉末の合成およびBT誘電体セラミックスの設計指針として、格子欠陥の生成、ドナーやアクセプター元素などによる異種元素置換による格子欠陥制御など、熱力学的考察を交えて材料組成開発に係わる組成設計を説明いたします。

本セミナーでは、小型化技術とそれに伴う熱設計の難しさについて概説いたします。
そのうえで、車載信頼性と小型化と熱設計のバランスをとって設計する重要性を、事例を交えて紹介いたします。