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本セミナーでは、半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説いたします。

本セミナーでは、先端半導体で要求される洗浄技術、課題について解説いたします。
また、残渣除去性の評価、表面酸化状態の解析と、その注意点について解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、放熱シートについて基礎から解説し、フィラー配向制御技術、絶縁、粘・接着、柔軟性の要求特性を満たすポイントについて詳解いたします。

本セミナーでは、SiCモジュールの採用増加・発熱密度上昇に対応するためのモジュールパッケージの高耐熱化・高信頼性化技術を取り上げ、新たな高性能材料や新しい製造プロセス、放熱性の高いモジュール構造について、業界動向・採用事例・学会発表の情報を元に解説いたします。

本セミナーでは、Ni内電MLCCの材料から、高積層技術、将来展望まで幅広く、詳細に解説をいたします。
更に、高信頼性を目指した、内部電極のNi-Snの最新開発動向も報告いたします。

本セミナーでは、永久磁石同期モータのベクトル制御系に対し、制御系の変更のみでさらなる高出力駆動を実現するためのインバータの過変調領域の利用方法について説明いたします。

本セミナーでは、単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

本セミナーでは、先端半導体で要求される洗浄技術、課題について解説いたします。
また、残渣除去性の評価、表面酸化状態の解析と、その注意点について解説いたします。

本セミナーでは、AEC-Q100に準拠した試験を実施する場合の留意点と問題点、日本版のAEC-Q100規格EDR-4708について詳細に説明いたします。
また、最近の話題として、EV用のパワー半導体が注目されており、特にSiCデバイスが普及期にありますが、信頼性の課題もあり、SiCデバイスの最近の話題について説明いたします。

本セミナーでは、新世代のAIチップなどでも期待される三次元積層型の立体集積回路 (3D-IC) の特徴とその必要性や分類、作製方法について分かりやすく解説いたします。