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自動車用の電動化に向けたパワー半導体におけるパッケージ技術とSiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 (2日間)

自動車用の電動化に向けたパワー半導体におけるパッケージ技術とSiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 (2日間)

～接合・接続・封止・高信頼性化・高耐熱化・高放熱化 / 最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで～
東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2020年2月28日(金) 10時30分 ～ 16時30分
  • 2020年3月16日(月) 10時30分 ～ 16時30分

修得知識

  • パワー半導体の実装技術
    • 接合
    • 封止
    • 絶縁
    • 放熱技術
  • パワー半導体の信頼性技術
  • パワーエレクトロニクスと半導体の関係
  • 過去30年のパワーデバイス開発の流れ
  • パワーデバイスの最新技術動向
  • Si-IGBTの強み
  • SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体・SiC/GaNの市場予測
  • SiCデバイス実装技術
  • SiCデバイス特有の設計・プロセス技術

プログラム

2020年2月28日「自動車用に向けたパワー半導体におけるパッケージ技術」

　最新のパワーエレクトロニクスは、地球環境対策や電力消費削減対策に貢献する技術であり、我が国が世界をリードできる分野である。本セミナーでは、パワー半導体のパッケージ技術全般から、さらに自動車 (EV/HEV) への適用に焦点をあて、小型化・高信頼性化を実現するパッケージ技術について詳細に述べる。また、次世代パワー半導体として注目されているSiCについても紹介する。

  1. パワーエレクトロニクスとパワー半導体
    1. パワーエレクトロニクスの重要性
    2. パワーエレクトロニクス機器の要求性能
    3. パワー半導体を取り巻く環境
  2. パワー半導体モジュールの実装技術
    1. パワー半導体モジュールの構造と機能
    2. パワー半導体モジュールに対する要求性能
    3. WBG半導体の動向
  3. パワー半導体モジュールのパッケージ技術
    1. 接合技術
    2. 接続技術
    3. 封止技術
    4. 絶縁技術
    5. 放熱技術
  4. 信頼性
    1. モジュールの破壊メカニズム
    2. 高信頼性化の取組み事例
  5. まとめ
    • 質疑応答・名刺交換

2020年3月16日「自動車の電動化に向けたSiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向」

　近年は、電気自動車 (EV) の開発に向け大きく進展する年となっている。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化してきている。
　EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
　最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクスとは?
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 高周波化のメリット
    5. Si-MOSFET・IGBTの伸長
    6. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーデバイス (Si-IGBT) の進展と課題
    1. パワーデバイス市場の今と将来
    2. IGBT開発のポイント
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. 薄ウェハ化の限界
    5. IGBT特性改善の次の一手
    6. 新しいコンセプトのIGBT (RC-IGBT) 開発
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. SiCのSiに対する利点
    4. なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか?
    5. SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
    6. SiCウェハができるまで
    7. SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
    8. 最近のSiC-MOSFETトピックス
    9. SiCのデバイスプロセス (Siパワーデバイスと何が違うのか)
    10. SiCデバイス信頼性向上のポイント
    11. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    12. SBD内蔵SiCトレンチMOSFET
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaN-HEMTデバイスの特徴
    5. ノーマリ-オフ特性
    6. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
    7. GaN-HEMTの課題
    8. GaNパワーデバイスの弱点はなにか
    9. 縦型GaNデバイスの最新動向
    10. 縦型SiC.vs.縦型GaNの行くえ
  5. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. パワーデバイスの動作パターン
    4. パワーデバイス動作中の素子破壊例
    5. 信頼性設計とシミュレーションの活用
  6. まとめ
    • 質疑応答・名刺交換
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講師

  • 両角 朗 氏
    富士電機 株式会社 電子デバイス事業本部 開発統括部 パッケージ開発部
    主査
  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
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会場

東京流通センター
東京都 大田区 平和島6-1-1
東京流通センターの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 71,250円 (税別) / 78,370円 (税込)
複数名
: 37,500円 (税別) / 41,250円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 37,500円(税別) / 41,250円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 71,250円(税別) / 78,370円(税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 112,500円(税別) / 123,750円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
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