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本セミナーでは、パワー半導体実装の熱疲労について取り上げ、劣化要因を切り分けるために種々の機械負荷試験を用いた材料強度や劣化進行性、解析結果 (FEAを含む) を元に、どのように熱信頼性設計へ繋げられるかを、銀焼成接合劣化評価を事例に解説いたします。
特に、従来の「四点曲げ試験」に加え、独自性の高い「九点曲げ試験」の特徴、FEAによる解析手法までを介し、実用的な信頼性評価の手法を習得することを目的としております。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga2O3まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説いたします。

本セミナーでは、国策により量・質共に、急成長中の中国製SiCについて取り上げ、研究開発、技術戦略策定で知っておきたい中国パワー半導体の最新動向を解説いたします。

本セミナーでは、国策により量・質共に、急成長中の中国製SiCについて取り上げ、研究開発、技術戦略策定で知っておきたい中国パワー半導体の最新動向を解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体の社会実装の状況やSiCウェハ製造技術の開発動向、課題、産業動向まで分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、先端電子実装用材料の接合部を対象として、その信頼性評価手法について解説いたします。
また、関連技術の研究開発を実施するにあたり必要となるはんだ接合に関する物理現象の基礎についても解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説いたします。

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、半導体封止およびエポキシ樹脂の基礎から解説し、半導体封止材用エポキシ樹脂とその特性、硬化剤の種類および代表的な硬化剤とその特性、半導体封止材用硬化剤とその特性、硬化物の特性評価法と特性解析例について詳解いたします。

本セミナーーでは、パワーデバイスを回路に組込むために必要なデバイス選定手法・設計法、パワーデバイスを駆動するためのトリガー回路の設計手法、パワーデバイスをパワーエレクトロニクス回路に組込むのに役立つデバイス特性の基本式、半導体物性からパワーデバイスを実際の回路に組込むまでの一連の知識について詳解いたします。