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本セミナーでは、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga2O3まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説いたします。

本セミナーでは、SiCとSiO2の界面で生じる諸現象を、SiCの酸化反応や窒化反応だけでなく、様々な表面反応に着目して解説し、各種の界面形成プロセスの効果やその課題について理解を深めます。

本セミナーでは、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響から結晶欠陥の評価手法までを解説いたします。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga2O3まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説いたします。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga2O3まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、パワーモジュールパッケージについて取り上げ、パワーモジュールパッケージに求められる放熱性、絶縁性、信頼性確保に向け、実例を交えて開発動向を詳解いたします。

本セミナーでは、次世代パワー半導体に対応する接合材料への要求特性、Ag系、Cu系接合材の開発動向とアルミ銅被覆ワイヤーによる高信頼接合技術について解説いたします。