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本セミナーでは、バンドギャップが大きくなるほど評価困難になる欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法について、従来の評価技術と比較しながら測定原理から応用例までわかりやすく解説いたします。

電子機器の高性能化・高発熱化に伴い、半導体や電子部品の熱設計・放熱評価の重要性が高まる中、放熱経路や熱抵抗を可視化できる過渡熱抵抗測定の活用が広がっています。
一方で、「従来からの測定条件をそのまま使っている」「測定条件の設定に明確な根拠がない」「構造関数を十分に活用できていない」といった課題も少なくありません。
本セミナーでは、豊富な実測事例を交えながら、過渡熱抵抗測定の基礎から、目的に応じた測定条件の設定方法、現場で役立つ測定ノウハウと注意点、構造関数の読み方・活かし方を実践的に解説いたします。
また、過渡熱抵抗測定を活用した熱伝導率測定やパワーサイクル試験への応用についても解説いたします。

本セミナーでは、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスの動向や市場予測を解説いたします。

本セミナーでは、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスの動向や市場予測を解説いたします。

本セミナーでは、バンドギャップが大きくなるほど評価困難になる欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法について、従来の評価技術と比較しながら測定原理から応用例までわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーーでは、パワーデバイスを回路に組込むために必要なデバイス選定手法・設計法、パワーデバイスを駆動するためのトリガー回路の設計手法、パワーデバイスをパワーエレクトロニクス回路に組込むのに役立つデバイス特性の基本式、半導体物性からパワーデバイスを実際の回路に組込むまでの一連の知識について詳解いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイス、ダイヤモンドパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、その他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向まで解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga2O3まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説いたします。

本セミナーでは、パワーエレクトロニクスの基礎、電力変換器、次世代パワーデバイス、周辺回路技術、高効率化手法、アプリケーションなどを解説いたします。