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本セミナーでは、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説いたします。

本コースは、「パワーデバイス基礎・技術動向」と「高耐熱封止樹脂」のセミナーをセットにしたコースです。
セット受講で特別割引にてご受講いただけます。
2テーマ 通常受講料 : 92,340円(税込) → 2コース申込 割引受講料 76,950円(税込)

本セミナーでは、シリコン、ＳｉＣ、ＧａＮデバイスと比較しながら、酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と課題について、学会等での内容を紹介しながら丁寧に解説いたします。

本セミナーでは、IGBT,MOSFETの基本的な駆動方法から,スイッチング素子を使い切るための熱設計,高速スイッチング素子特有の実装方法,ノイズ対策など幅広く解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイスについてSiCとGaN個別のターゲット分野とそれぞれのデバイス構造、課題、さらに有用性を引き出すために要求されるパッケージング等の周辺技術について詳解いたします。

本セミナーでは、インバータ、コンバータ、汎用インバータ、ダイオードなどの具体的回路事例とその変換・制御方法や、最新の半導体素子の特性をふまえて平易に解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイスについてSiCとGaN個別のターゲット分野とそれぞれのデバイス構造、課題、さらに有用性を引き出すために要求されるパッケージング等の周辺技術について詳解いたします。

本セミナーでは、SiCのMOS界面特性を評価する手法について基礎から解説いたします。また、これまでに開発されてきた界面欠陥低減技術と、SiCの結晶面のMOS界面特性について解説いたします。