技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

パワー半導体SiCのMOS界面特性評価・界面欠陥低減技術

パワー半導体SiCのMOS界面特性評価・界面欠陥低減技術

大阪府 開催 会場 開催

概要

本セミナーでは、SiCのMOS界面特性を評価する手法について基礎から解説いたします。また、これまでに開発されてきた界面欠陥低減技術と、SiCの結晶面のMOS界面特性について解説いたします。

開催日

  • 2011年10月5日(水) 10時30分 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体に関連する技術者
  • SiC半導体の界面特性を評価の担当者
  • SiC半導体の界面欠陥低減技術に関連する技術者

修得知識

  • SiCのMOS界面特性の評価技術
  • SiCのMOS界面欠陥の低減技術
  • SiCのMOSデバイスの現状・課題
  • 最近の学会における話題

プログラム

 近年、電力変換における損失を低減するために、パワー半導体 (パワーデバイス) の低損失化が求められている。既存のSiパワーデバイスのさらなる低損失化は非常に困難であり、ワイドギャップ半導体、中でもSiCを用いたパワーデバイスが注目を集めている。
 SiCショットキーダイオードは市販から約10年が経つが、SiCパワーMOSFETの市販はようやく始まったところである。しかし、SiCの特性を十分に活かした性能が得られているとは言い難く、MOS界面 (酸化膜/SiC界面) の高品質化が鍵となる。
 本セミナーでは、SiCのMOS界面特性を評価する手法について、そしてこれまでに開発されてきた界面欠陥低減技術について解説する。SiCの種々の結晶面のMOS界面特性についても触れる。
 Si-MOSデバイスの開発で培われてきた界面評価技術・欠陥低減技術は、SiC-MOSデバイスに対してそのまま適用してもうまくいかない。Siとは異なったSiCのMOS界面への理解を深め、SiCパワーMOSFETの開発に活かしていただきたい。

  1. SiCパワーデバイスとMOS界面
    1. SiCについて
    2. MOS界面とデバイス特性
    3. SiCのMOSデバイス作製プロセス
  2. SiCのMOS界面評価技術
    1. MOSキャパシタを用いたMOS界面評価法
      1. 容量-電圧 (C-V) 特性の基礎
      2. C-V法
        • ターマン法
        • Hi-Lo C-V法
        • 低温C-V法 など
      3. コンダクタンス法
      4. 熱刺激電流法
    2. MOSFETを用いたMOS界面評価法
      1. チャネル移動度
        • 実効移動度
        • 電界効果移動度
        • Hall移動度
      2. しきい値電圧
      3. チャージポンピング法
      4. パルスIV法
  3. SiCのMOS界面欠陥低減技術
    1. ウェット酸化・ウェット再酸化アニール
    2. 水素アニール
    3. NO/N2Oアニール
    4. POCl3アニール
    5. その他の手法
  4. SiCパワーMOSデバイスの現状
    1. DMOSFET
    2. トレンチMOSFET
    3. 横型MOSFET
    4. IGBT
  5. 最近の学会 (ICSCRM2011など) における話題
  • 質疑応答・名刺交換・個別相談

会場

ドーンセンター

4階 中会議室2

大阪府 大阪市 中央区大手前1丁目3-49
ドーンセンターの地図

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 47,600円 (税別) / 49,980円 (税込)

割引特典について

  • R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
    • 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
    • 2名同時にお申し込みいただいた場合、2人目は無料 (2名で49,980円)
    • 案内登録をされない方は、1名につき49,980円 (税込)
本セミナーは終了いたしました。

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2025/4/8 半導体パッケージ基板における「層間絶縁」材料および実装、その評価 オンライン
2025/4/9 半導体チップレットと先端パッケージングの最新開発動向と展望 オンライン
2025/4/11 半導体パッケージの基礎と将来展望 オンライン
2025/4/14 半導体分野を革新するめっき技術 オンライン
2025/4/15 半導体デバイス製造工程の基礎 オンライン
2025/4/22 先進半導体パッケージを理解するための三次元集積化技術の最新動向 オンライン
2025/4/23 半導体パッケージの基礎と将来展望 オンライン
2025/4/24 次世代パワーデバイス技術の展望と課題 オンライン
2025/4/24 AI、MI、機械学習、データサイエンスなどを用いた半導体・電気電子分野における開発効率化、製造および品質向上への活用 オンライン
2025/4/24 パワー半導体用SiCの単結晶成長技術およびウェハ加工技術の開発動向 オンライン
2025/4/24 半導体ウェット洗浄技術の基礎と乾燥技術、および最先端技術 オンライン
2025/4/25 半導体製造におけるプロセスインフォマティクスの活用技術 オンライン
2025/4/30 自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 オンライン
2025/5/22 半導体装置・材料のトレンドと今後の展望 (2025年版) オンライン
2025/5/29 半導体装置・材料のトレンドと今後の展望 (2025年版) オンライン
2025/5/30 開閉接点・摺動接点・接続接点の接触理論と故障モード・メカニズムならびにその対策 東京都 会場・オンライン
2025/5/30 物理学で理解するEUVリソグラフィの基礎・応用・課題と将来展望 オンライン

関連する出版物

発行年月
2024/11/29 パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術
2024/9/13 世界のAIデータセンターを支える材料・デバイス 最新業界レポート
2024/6/19 半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術
2024/4/30 次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書
2023/9/29 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術
2023/4/28 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発
2022/11/29 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術
2022/10/31 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術
2022/6/17 2022年版 電子部品市場・技術の実態と将来展望
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版)
2021/11/12 レジスト材料の基礎とプロセス最適化
2021/6/18 2021年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2020/7/17 2020年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2019/7/19 2019年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2018/3/20 レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10 SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2015/6/30 導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用