技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
本セミナーでは、工学基礎 (半導体の基礎の基礎、流体力学、電気磁気学、AI) から、半導体デバイスの製造プロセスで使われている物理的洗浄について原理から詳解いたします。
また、半導体デバイス製造時の静電気障害の対策についても紹介し、それを防止するためのAI技術についても説明いたします。
近年、半導体デバイスに進化はものすごいスピードを進んでいます。このセミナーは半導体デバイスの物理的洗浄に関して説明を行います。セミナーではできるだけ工学基礎 (半導体の基礎の基礎、流体力学、電気磁気学、AI) から説明を行い、現在半導体デバイスの製造プロセスで使われている物理的洗浄について原理から丁寧に説明します。
また、講演者が専門としている半導体デバイス製造時の静電気障害の対策についても紹介し、それを防止するためのAI技術についても述べます。半導体デバイス製造プロセスにどのようにAIが用いることができるがヒントになると幸いです。基礎的なことからお話しますので、半導体デバイス洗浄に関わる3, 4年の方や半導体デバイス洗浄にビジネスをお探しの方に最適かと思います。
R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
---|---|---|---|
2024/6/12 | フィルムの乾燥プロセス技術とトラブル対策 | オンライン | |
2024/6/13 | 半導体洗浄の基礎と洗浄機内の流れ・反応および洗浄法の評価方法 | オンライン | |
2024/6/13 | 流体力学基礎講座 | オンライン | |
2024/6/13 | 異物ゼロへのアプローチ | オンライン | |
2024/6/18 | 半導体製造に向けた高純度ガスの精製、分析技術 | オンライン | |
2024/6/19 | 半導体パッケージの伝熱経路、熱モデルと熱設計・シミュレーション技術 | オンライン | |
2024/6/19 | 半導体先端パッケージ技術を理解するための基礎 | オンライン | |
2024/6/20 | カビの発生予測、混入、発生防止と「カビ毒」の基礎知識 | オンライン | |
2024/6/20 | 流体力学の基礎と解析技術の実務での活用例 | オンライン | |
2024/6/21 | 食品工場における異物混入の原因究明と防止対策 | オンライン | |
2024/6/21 | 半導体市場の現状と今後の展望2024 | オンライン | |
2024/6/24 | ALD (原子層堆積) / ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用 | オンライン | |
2024/6/24 | リスクマネジメント/ワーストケースアプローチに基づく洗浄バリデーション実施 (残留限度値・DHT/CHT設定など) と残留物の評価法 | オンライン | |
2024/6/26 | 生産移行後のトラブルを未然に防ぐための製造設備および支援設備のバリデーション | 東京都 | 会場・オンライン |
2024/6/26 | 流体力学基礎講座 | オンライン | |
2024/6/26 | フィルムの乾燥プロセス技術とトラブル対策 | オンライン | |
2024/6/26 | 半導体市場の最新動向を踏まえた今後の展望とビジネスチャンス | 東京都 | 会場・オンライン |
2024/6/27 | 半導体製造用ガスの技術動向と流量制御、汚染管理 | オンライン | |
2024/6/27 | クリーンルームの基礎と作業員・清潔度維持管理のポイント | オンライン | |
2024/6/27 | 半導体デバイス製造に用いられる接合技術 | オンライン |
発行年月 | |
---|---|
1988/11/1 | EOS/ESD対策ハンドブック |
1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1987/9/1 | 磁気回路の計算法 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |