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次世代パワーデバイスの実装技術と最新動向
次世代パワーデバイスの実装技術と最新動向
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、車載用半導体を中心とした次世代パワーデバイスについて、実装技術・パッケージの最新動向 (高効率化・小型・軽量化) から、次世代パワー半導体:SiCまで詳解いたします。
開催日
- 2018年12月18日(火) 10時30分 ～ 16時30分
修得知識
- パワーエレクトロニクスの概要
- パワーデバイスの概要
- パワー半導体モジュールの実装技術全般
- 信頼性設計
プログラム
最新のパワーエレクトロニクスは、地球環境対策や電力消費削減対策に貢献する技術であり、日本が世界をリードできる分野です。
本セミナーでは、パワー半導体の実装技術全般を網羅しつつ、デバイスからアプリケーションまで関連技術についても概説します。実装技術の最新動向は、高効率化・小型・軽量化であり、電力変換装置およびパワー半導体モジュールの小型化 (高パワー密度化) については詳細に説明します。さらに、昨今注目を集めている次世代パワー半導体としてSiCについても紹介します。
- パワーエレクトロニクスとパワー半導体
- パワーエレクトロニクスの歴史
- パワー半導体の歴史
- パワー半導体のアプリケーション
- パワー半導体を取り巻く環境
- パワー半導体素子とパッケージ動向
- パワー半導体素子の動向
- パッケージの動向
- ワイドバンドギャップ (WBG) 半導体の動向
- パワー半導体モジュールの要求性能
- パワー半導体モジュールの実装技術
- モジュールの構造と機能
- 接合技術
- 接続技術
- 封止技術
- 絶縁技術
- 放熱技術
- SiCパワー半導体の実装技術動向
- 信頼性
- パワー半導体モジュールの信頼性
- モジュールの破壊メカニズム
- モジュールの信頼性設計
- 高信頼性化取組み事例
- まとめ
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
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- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 43,750円(税別) / 47,250円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 69,417円(税別) / 74,970円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 92,556円(税別) / 99,960円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 138,833円(税別) / 149,940円(税込)
本セミナーは終了いたしました。
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