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次世代パワーデバイスの開発・市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術

次世代パワーデバイスの開発・市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術

~SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスの動向や市場予測を解説~
オンライン 開催

視聴期間は2025年6月23日〜7月1日を予定しております。
お申し込みは2025年6月23日まで承ります。

概要

本セミナーでは、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスの動向や市場予測を解説いたします。

配信期間

  • 2025年6月23日(月) 10時30分2025年7月1日(火) 16時30分

お申し込みの締切日

  • 2025年6月23日(月) 10時30分

受講対象者

  • パワー半導体デバイス、パワーエレクトロニクス関連装置の業務に携わっている方
  • パワー半導体デバイスの今後の動向に関心のある方

修得知識

  • パワー半導体デバイス・パッケージの最新技術動向
  • Si-MOSFET, IGBTの強み
  • SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測
  • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術
  • 酸化ガリウムパワーデバイス技術

プログラム

 2025年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。現在、その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。
 本セミナーでは、最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクスとはなに
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 最近のトピックスから
    5. パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
    6. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
    7. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    8. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
    1. パワーデバイス市場の現在と将来
    2. MOSFET特性改善を支える技術
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. IGBT薄ウェハ化の限界
    5. IGBT特性改善の次の一手
    6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
    7. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
    4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
    5. SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
    6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
    7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
    8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
    9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    5. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
    6. GaN-HEMTの最新技術動向 (高耐圧化へ向けて)
    7. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
    1. 酸化ガリウムの特徴は何
    2. 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
  6. SiCパワーデバイス実装技術の進展
    1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
    2. 銀または銅焼結接合技術
    3. SiC-MOSFETモジュール技術
    • 質疑応答

講師

  • 岩室 憲幸
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
  • 5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
    • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 180,000円(税別) / 198,000円(税込)
    • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 210,000円(税別) / 231,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 請求書は、代表者にご送付いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

アーカイブ配信セミナー

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2025年6月23日〜7月1日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナー資料は別途、送付いたします。
本セミナーは終了いたしました。

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開始日時 会場 開催方法
2025/6/24 ダイヤモンド半導体の開発動向と今後の期待 オンライン
2025/6/25 先端半導体パッケージの反り対策に向けた材料開発 オンライン
2025/6/25 CMP技術とその最適なプロセスを実現するための実践的総合知識 オンライン
2025/6/26 半導体パッケージの伝熱経路、熱モデルと熱設計・シミュレーション技術 オンライン
2025/6/27 初心者のための半導体製造入門 オンライン
2025/6/27 DSAリソグラフィへ向けたブロック共重合体の合成と自己組織化プロセス オンライン
2025/6/27 半導体パッケージの伝熱経路、熱モデルと熱設計・シミュレーション技術 オンライン
2025/6/30 初心者のための半導体製造入門 オンライン
2025/6/30 電子回路の公差設計入門 オンライン
2025/6/30 先端半導体パッケージに向けた材料・実装技術の開発動向 オンライン
2025/6/30 次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向 オンライン
2025/7/4 ナノインプリントの材料、プロセスの設計とVR/AR、半導体プロセスへの応用技術 オンライン
2025/7/4 量子ドットの基礎物性、作製、構造測定技術とデバイス応用 オンライン
2025/7/7 半導体ドライエッチングの基礎と最新技術 オンライン
2025/7/9 半導体テスト技術の基礎と動向 オンライン
2025/7/9 半導体洗浄の技術動向と表面欠陥・汚染の低減技術 オンライン
2025/7/10 半導体ドライエッチングの基礎と最新技術 オンライン
2025/7/10 ALD (原子層堆積法) の基礎と高品質膜化および最新動向 オンライン
2025/7/11 CMP技術とその最適なプロセスを実現するための実践的総合知識 オンライン
2025/7/15 ナノインプリントの材料、プロセスの設計とVR/AR、半導体プロセスへの応用技術 オンライン

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