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次世代パワーデバイスに向けたデバイス化技術と要素技術の展望

次世代パワーデバイスに向けたデバイス化技術と要素技術の展望

～縦型GaN、酸化ガリウム、ダイヤモンドデバイスの実現に向けた技術動向、課題～
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概要

本セミナーでは、次世代パワーデバイスについて取り上げ、現在のパワーデバイスとの比較した際のメリット、開発状況、市場に普及するためのポイント、今後の開発動向について詳解いたします。

開催日

  • 2023年9月12日(火) 10時30分 ～ 16時10分

プログラム

第1部 GaNパワーデバイスの開発動向と低オン抵抗 高耐圧化への展望

(2023年9月12日 10:30〜12:00)

　GaNパワーデバイスはSiCと並び次世代のパワーデバイスとして期待されています。横型GaNパワーデバイスはすでに実用化の時代に入り、応用範囲が拡大されつつあります。同時に、使い易さを目的にデバイスのパッケージングでの改良も進んでいます。一方、縦型パワーデバイスはまだ実用化には至っていません。しかし、SiC – MOSFETより低いオン抵抗が期待できるため、新たなシステムの可能性が開けることから、開発が進められています。
　本講座では、横型と縦型のGaNパワーデバイスの現状と開発の課題、将来について展望します。。

  1. GaNの物性と強み
  2. GaNパワーデバイスの構造と特徴
  3. 横型パワーデバイスの現状
    1. メーカーとデバイスの特徴
    2. 他パワーデバイスとの比較
    3. 今後の展望
  4. 縦型パワーデバイスの現状と課題
    1. 要素技術の課題と現状
      1. ゲート絶縁膜
      2. イオン注入技術
      3. トレンチ加工技術
      4. GaN基板開発
    2. 縦型パワーデバイスの実際
      1. 終端構造
      2. Junction Barrier Schottky (JBS) ダイオード
      3. JFET
      4. MOSFET
    3. 今後の展望
  5. まとめ
    • 質疑応答

第2部 ベータ型酸化ガリウムデバイスの開発動向とダイオード、トランジスタ応用への展望

(2023年9月12日 13:00〜14:30)

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイスおよび極限環境デバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。
　また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。 こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

  1. ベータ酸化ガリウム (β-Ga2O3) の物性
  2. β-Ga2O3バルク融液成長技術
  3. β-Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
    1. MBE成長
    2. HVPE成長
    3. MOCVD成長
  4. β-Ga2O3トランジスタ
    1. 横型FET (高周波、極限環境デバイス)
    2. 横型FET (パワーデバイス
  5. β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD)
  6. まとめ
    • 質疑応答

第3部 ダイヤモンドパワー半導体の現状と結晶成長、デバイス作製技術の研究動向

(2023年9月12日 14:40〜16:10)

　ダイヤモンド半導体は、パワー半導体として30年以上期待されてきましたが、最近、ようやく、MOSFET技術、大口径ダイヤモンドウェハ技術が開発され、現実的になってきました。
　講演では、分野外の方にもわかるように、できるだけ平易なところから、最近の進展や動向までわかりやすく解説いたします。

  1. ダイヤモンド半導体はなぜ注目されているか
    1. ダイヤモンドの物性
    2. ダイヤモンド半導体の応用の可能性
  2. ダイヤモンドの結晶成長
    1. 高温高圧合成法
    2. マイクロ波CVD法
    3. ヘテロエピタキシャル法
  3. ダイヤモンド半導体デバイス
    1. ドーピング技術
    2. ゲート絶縁膜
    3. ダイヤモンドMOSFET作製
    4. DC特性
    5. パワー特性
    6. スイッチング特性
    7. 信頼性試験 (ストレス特性)
    8. RF特性
  4. 今後の課題
    • 質疑応答
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講師

  • 加地 徹 氏
    名古屋大学 未来材料・システム研究所
    特任教授
  • 東脇 正高 氏
    大阪公立大学 大学院 工学研究科 電子物理工学分野
    教授
  • 嘉数 誠 氏
    佐賀大学 大学院 理工学研究科
    教授
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主催

株式会社 技術情報協会
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  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

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  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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