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加地 徹

所属

名古屋大学
未来材料・システム研究所

役職

特任教授

学位

工学博士

専門

  • 化合物半導体
  • パワーデバイス

経歴

  • 1975年 名古屋大学 工学部 卒業
  • 1978年 名古屋大学大学院博士後期課程 中退
  • 1978年 株式会社 豊田中央研究所 入社
    研究所では、光学測定システム開発、GaAsの結晶成長、GaNレーザー、およびGaN LEDの開発に従事。
    2000年ごろから、LED開発と平行してGaNパワーデバイスの研究を開始。以後一貫してGaN縦型パワーデバイスの要素技術開発、デバイス開発に携わる。
  • 2016年 名古屋大学 未来材料・システム研究所に移籍
  • 2016年〜2020年文部科学省プロジェクト「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」パワーデバイス・システム領域 領域長

受賞

  • 1985年 IR100 (US R&D Magazine)
  • 2008年 JJAP論文賞