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本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを解説・紹介いたします。

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスとその製造方法 (前工程) 、最新のデバイス動向や市場動向について、基礎からわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、ウェットエッチング加工特性に影響する要因とその制御方法やグリーン化への取り組みを詳解いたします。

本セミナーでは、ドライエッチングについて基礎から解説し、最先端ドライエッチング技術として、マルチパターニング、FinFETやGAAなどのロジックFEOLエッチング、1.4nm以降のロジック配線エッチング、さらには超低温 (クライオ) エッチングを含む、3D NANDのHARエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説いたします。

本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術、そして最先端の原子層エッチング技術までを、メーカで化合物半導体光デバイスの製造プロセスやシリコンLSI向けエッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、ドライエッチング、ウェットエッチング、および原子層エッチングについて、エッチングの原理から、各種材料への応用、技術動向、そして最先端の開発事例までを、メーカで各種半導体製造のエッチングプロセス開発に携わってきた講師が、実経験を交えて分かり易く解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスとその製造方法 (前工程) 、最新のデバイス動向や市場動向について、基礎からわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを解説・紹介いたします。

本セミナーでは、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ/ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説いたします。
また、日頃の技術開発やトラブル相談に個別に応じます。

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイスとその製造方法 (前工程) 、最新のデバイス動向や市場動向について、基礎からわかりやすく解説いたします。