技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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(2015年9月4日 10:30〜12:00)
省エネ、新エネルギー創出、CO2削減などに対して高効率のパワエレ装置が望まれている中、パワーデバイスの特性向上が求められている。このような中、従来のSiパワーデバイスの代表例であるIGBTのオン抵抗、スイッチング損失特性は飽和してきており、新規材料であるSiCやGaNを適用したデバイスの創出が望まれている。 本講座では、これらの最新パワーデバイスに最適なパッケージ技術 (モジュール化技術) に関して重要な、小型化、軽量化、高耐熱化、高放熱化、高信頼性化に関して説明する。また、これらの技術を支えるCAE技術に関しても説明し、パワーモジュールの将来展望へと繋げる。
(2015年9月4日 12:45〜14:15)
当社パワー半導体モジュール技術を活用して開発しております「両面はんだ接合SiCトランスファーモジュール」を例にとり、モジュール特性、信頼性の観点から 当社SiCモジュール開発品の特徴をご紹介します。
(2015年9月4日 14:30〜16:00)
当社では、パワーデバイスとその周辺技術の進化による電気機器およびそれを搭載する機械システムの革新を推進する「メカトロパワダイムシフト」を提唱している。その中で SiCやGaNを積極的に適用し、パワーデバイスの駆動回路や周辺技術の開発に取り組んでいる。本講演では、SiCパワーデバイスを搭載したモータドライブ装置を開発し、高効率・小型化を実現した事例を実装技術と放熱設計技術に焦点を当てて紹介する。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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