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半導体先端パッケージに向けた実装技術、材料開発動向

半導体先端パッケージに向けた実装技術、材料開発動向

～3D集積/接合プロセスの開発動向と求められる材料技術とは / 2.5D, Chiplet実装の実現に向けた低熱膨張積層材、アンダーフィル材、封止技術～
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開催日

  • 2025年1月10日(金) 10時00分 ～ 17時00分

修得知識

  • 3D集積/接合技術の開発動向
  • 半導体パッケージの市場動向
  • 低熱膨張有機コア材の動向
  • 今後のパッケージ構造で求められている特性
  • 先端パッケージの狭ギャップ、狭ピッチ化に対応したアンダーフィル材料の開発動向
  • シリコンブリッジパッケージの最新動向
  • シリコンブリッジパッケージの封止技術

プログラム

第1部 3D集積/接合技術の開発動向

〜プロセス・材料の側面から〜

(2025年1月10日 10:00〜11:30)

  1. AIの進化と半導体チップ (ニーズ)
    1. シンギュラリティ
    2. 生成AI
  2. 半導体技術の進化 (対応)
    1. 半導体市場
    2. ロジック/メモリ
    3. 3Dシステム (3D-IC, Chiplet)
      1. 高速大容量化と発熱問題
      2. 技術領域の融合
        • FEOL/BEOL
        • Process/Design
  3. 3D集積/接合プロセスの開発動向
    1. 裏面供給技術 (電源、信号)
      1. 電源、信号
      2. 最先端プロセス (imecでの取組み)
    2. 先端配線技術
    3. ハイブリッドダイレクト接合
      1. 技術動向
      2. WoW, CoW (NEDOプロジェクトにおける取組み)
    4. 放熱技術-プロセス・材料
      1. 東京大学d.labでの取組み他
  4. パッケージング技術の進化
    1. 2.5D/3Dパッケージング
    2. 熱制御
    3. 光電融合
    4. ガラス基板
  5. まとめ
    • 質疑応答

第2部 先端パッケージ基板向け低熱膨張積層材料および関連材料の開発

(2025年1月10日 12:10〜13:40)

　近年のIoTやAI、自動運転、更には5G、Beyond 5Gといった情報通信システムの普及により、高度情報処理の進展が加速、半導体デバイスでは高機能/高性能化のため、高集積/高密度化が進んでいる。それらの実現に向けて2.5D実装、Chipletなど、さまざまな実装技術の提案が進んでいるが、これらの実装形態の実現にはサブストレートがその機能を十分に発揮する必要がある。
　一方、複雑化する実装方式、大型化するサブストレートが必要となることにより、実装工程中でのそりの顕在化、さらには実装歩留の低下など、多くの課題に直面している。レゾナックでは、こうした大型サブストレートでの課題を解決するため、これら先端パッケージ基板向けに低熱膨張積層材料をラインナップしている。
　本講演では、こうした低熱膨張積層材料の最新の開発状況と関連する高機能積層板の特性、開発の方向性について紹介する。

  1. 会社紹介
  2. 技術トレンド
  3. 最新の低熱膨張コアの紹介
  4. 今後の新規構造での様々な特性発現
    • 質疑応答

第3部 先端パッケージの狭ギャップ、狭ピッチ化に対応したアンダーフィル材料の開発動向とシミュレーション、検証

(2025年1月10日 13:50〜15:20)

　本講演では半導体チップ下にアンダーフィルさせる際、従来と異なる複数チップが搭載されたパッケージ基板や電極密度が異なるチップにおいて、塗布条件による気泡の残存や隣接するチップへの浸透などによる問題が発生する可能性がある。その最適塗布条件を事前に確認するツールとして浸透性シミュレーションを用いそれぞれのリスクを事前に検証した結果を紹介する。
　更なる狭ピッチ部品への適応に関しても、粒子法を用いたシミュレーションにより流動状態を予想し最適粒子サイズの選定に有効であることが確認された。その結果も紹介する。

  1. 会社紹介、事業紹介
  2. 次世代半導体パッケージ進化
  3. アンダーフィルに関して
    1. プロセス
    2. 材料紹介
    3. フィラーセパレーションの発生メカニズム
  4. シミュレーション解析
    1. 従来ソルバー型ソルバーでの検証
    2. 新規EBGソルバーとの比較
    3. 塗布方法による気泡リスクの検証
    4. マルチパッケージの塗布タイミングでの検証
    5. 10チップパッケージでの最適塗布条件の検証
    6. 粒子法を用いたフィラー流動解析
  5. まとめ
    • 質疑応答

第4部 シリコンブリッジパッケージの最新動向とその封止技術

(2025年1月10日 15:30〜17:00)

　IBMで提案するシリコンブリッジパッケージにおける封止技術について解説する。パッケージ構造やそのアセンブリ方法を紹介した後、シリコンブリッジとメインチップを結ぶファインピッチバンプの封止材充填方法を説明する。また、メインチップと有機基板間のキャピラリーアンダーフィルプロセスでのボイド形成の課題について、解決へのアプローチを紹介する。最後に、シリコンブリッジパッケージの最新動向とその展望を述べる。

  1. シリコンブリッジパッケージの構造とアセンブリ技術
  2. ファインピッチバンプへの封止技術
    1. Non-Conductive Paste (NCP) によるはんだ接合
    2. ジェットディスペンスによるCapillary Underfill (CUF) 充填方法
  3. シリコンチップ-ラミネート基板間の封止技術
    1. CUF内のボイド形成過程の観察
    2. アンダーフィル材の物性と流動の解析
    3. チップ間寸法とCUFの流動の関係
  4. シリコンブリッジパッケージの展望
    • 質疑応答
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講師

  • 丹羽 正昭 氏
    東京大学大学院工学系研究科附属 システムデザイン研究センター (d.lab)
    上席研究員
  • 城野 啓太 氏
    株式会社レゾナック エレクトロニクス事業本部 開発センター 積層材料開発部 新規大型パッケージ材チーム
    チームリーダー
  • 野口 一輝 氏
    サンユレック株式会社 開発部 市場開発グループ
  • 丸島 千波 氏
    日本アイ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所
    研究員
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主催

株式会社 技術情報協会
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: 60,000円 (税別) / 66,000円 (税込)
複数名
: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)

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  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 55,000円(税別) / 60,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 110,000円(税別) / 121,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 165,000円(税別) / 181,500円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
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アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
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    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
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  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
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