第1章 LSIパッケージング技術

第2章 トランスファモールド技術

第1節 トランスファモールド技術の概要

• 1. トランスファモールドプロセス
• 2. プラスチックパッケージの信頼性とレジンに対する要求特性
  • 2.1 耐温度サイクル性
  • 2.2 耐湿性
  • 2.3 高温放置特性
  • 2.4 ソフトエラー
• 3. 実装時の問題とレジンに対する要求特性
• 4. まとめ

第2節 モールド材料・技術

• Ⅰ 低熱膨張材料の開発
  • 1. はじめに
  • 2. 低熱膨張材料の設計・手法
    • 2.1 充填剤について
    • 2.2 その他の手法について
  • 3. 低熱膨張材料の特性
  • 4. 低熱膨張材料の効果と信頼性レベル
    • 4.1 耐熱衝撃性について
    • 4.2 吸湿について
    • 4.3 耐湿性について
  • 5. おわりに
• Ⅱ エポキシ封止材の低応力化 (超低応力エポキシ封止材の開発)
  • 1. はじめに
  • 2. 低応力化
    • 2.1 内部応力の発生機構
    • 2.2 低応力化手法
    • 2.3 シリコーンによる低応力化
    • 2.4 シリコーンによる低応力化の例
  • 3. 超低応力封止材の開発
    • 3.1 低応力化
    • 3.2 高強度化と低吸水化
    • 3.3 高密着化
    • 3.4 超低応力エポキシ封止材の一般物性
  • 4. まとめ
• Ⅲ 表面実装用IC封止材料の開発
  • 1. はじめに
  • 2. パッケージクラックの発生機構について
    • 2.1 クラック発生状況の観察
    • 2.2 有限要素法による応力解析
    • 2.3 パッケージクラックの発生機構の推定
  • 3. 耐パッケージクラック材料の設計、手法
    • 3.1 耐パッケージクラック材料の取り組み
    • 3.2 耐パッケージクラック材料の検討結果
  • 4. 表面実装パッケージ用開発材料
  • 5. おわりに
• Ⅳ 高耐熱、低応力エポキシ封止材料の開発
  • 1. はじめに
  • 2. 開発手法
    • 2.1 高耐熱化技術
    • 2.2 低応力化技術
    • 2.3 高耐湿化技術
    • 2.4 各技術の集約
  • 3. 開発事例
  • 4. 今後の課題
• Ⅴ 半導体封止樹脂におけるシミュレーション技術
  • 1. 緒言
  • 2. 応力解析
    • 2.1 パッケージ内部の応力分布
    • 2.2 樹脂物性の影響
  • 3. はんだリフロークラックのシミュレーション
  • 4. まとめ
• Ⅵ 高耐熱性材料の開発
  • 1. 半導体の技術動向
  • 2. 封止用樹脂の技術動向
  • 3. 高耐熱性樹脂の開発
  • 4. おわりに

第3節 金型作成技術

• Ⅰ LSI金型の設計・加工技術
  • 1. 多ピン対応に対するモールド金型の設計
    • 1.1 金型の構成
    • 1.2 キュアタイム
    • 1.3 離形性
    • 1.4 パッケージそり
    • 1.5 Au線曲がり
  • 2. 多ピン対応に対するモールド金型の加工技術
• Ⅱ 流路形状による成形技術
• Ⅲ 移送制御モールド技術
  • 1. はじめに
  • 2. 移送制御の必要性
    • 2.1 成型品質と移送制御
    • 2.2 移送制御の効果
  • 3. 移送制御装置
    • 3.1 シングルプランジャ用プレス (油圧式)
    • 3.2 マルチプランジャ方式
    • 3.3 電動トランスファプレス
  • 4. まとめ

第3章 インジェクションモールディング技術

• 1. 緒言
• 2. 射出成形による封止技術
  • 2.1 射出成形による利点と欠点
  • 2.2 開発項目
  • 2.3 まとめ
• 3. 封止用熱可塑性樹脂
  • 3.1 PPS、LCPの特徴
  • 3.2 封止材料開発のポイント
  • 3.3 まとめ
• 4. おわりに

第4章 ポッティング技術

第1節 ポッティング技術の概要～TAB、COB、PGA

• 1. はじめに
• 2. 最近の小形パッケージへの要求
  • 2.1 パッケージの動向
  • 2.2 次世代パッケージへの課題
• 3. TAB/COB/FC/PPGAの概要
  • 3.1 TAB
  • 3.2 COB
  • 3.3 FC (Flip Chip)
  • 3.4 PPGA
• 4. 超薄形封止材料の耐湿性
  • 4.1 従来樹脂の耐湿性比較
  • 4.2 高耐湿性樹脂の開発
• 5. 今後の技術課題

第2節 ポッティング材料・技術

• Ⅰ ポッティング材料 (溶剤タイプ)
  • 1. 溶剤タイプポッティング材料の位置づけ
    • 1.1 概要
    • 1.2 有機物絶縁材料の分類
    • 1.3 溶剤タイプポッティング材料の構成
  • 2. 溶剤タイプの優位性
    • 2.1 溶剤タイプの長所
    • 2.2 溶剤タイプの短所
  • 3. 種類と特徴
    • 3.1 ノンポーラス薄塗りタイプ
    • 3.2 ノンポーラス厚塗りタイプ
    • 3.3 ポーラス厚塗りタイプ
  • 4. 用途
    • 4.1 TAB
    • 4.2 COB
  • 5. 使用方法と使用上の留意点
    • 5.1 常温戻し
    • 5.2 撹拌均一化
    • 5.3 脱泡
    • 5.4 塗布
    • 5.5 乾燥
    • 5.6 硬化
• Ⅱ 液状封止用特殊エポキシ樹脂の特性とその信頼性
  • 1. はじめに
  • 2. ベアチップ実装の土台となる回路形成基板の信頼性
  • 3. 回路基板の絶縁コート用ソルダレジストの信頼性
  • 4. ダイボンディング用接着剤の信頼性
  • 5. ベアチップ実装の特殊エポキシ樹脂封止
    • 5.1 ワイヤボンディング方式の封止
    • 5.2 TAB方式の封止
    • 5.3 フリップチップ方式の封止
  • 6. おわりに

第3節 基板材料

• Ⅰ PI (ポリイミド)
  • 1. ポリイミドフィルムの概要
    • 1.1 概要
    • 1.2 ポリイミドフィルムの製造
  • 2. ポリイミドフィルムの特性
    • 2.1 カプトン
    • 2.2 ユーピレックス
    • 2.3 アピカル
  • 3. 銅貼りポリイミドフィルム基板
    • 3.1 接着剤を使用したポリイミドフィルム基板
    • 3.2 接着剤を使用しないポリイミドフィルム基板
  • 4. ポリイミドフィルムの応用
    • 4.1 フレキシブル配線板
    • 4.2 テープキャリア
• Ⅱ BTレジン銅貼り積層板
  • 1. 緒論
  • 2. 半導体チップ実装方法
    • 2.1 ワイヤボンディング法
    • 2.2 フィルムキャリア (Tape Automated Bonding:TAB) 法
    • 2.3 フリップチップボンディング法
    • 2.4 ビームリード法
  • 3. BTレジン銅貼り積層板
    • 3.1 BTレジンの特徴
    • 3.2 BTレジンガラス布基材画面張積層板
  • 4. BTレジンガラス布基材多層プリント配線板用材料
  • 5. 射出成形プリント板
• Ⅲ エポキシ
  • 1. はじめに
  • 2. SMT技術の普及とプリント配線板
  • 3. エポキシMCLの概要
  • 4. MCLへの要求特性と対応状況
    • 4.1 寸法安定性
    • 4.2 ドリル加工性
    • 4.3 耐電蝕性 (高絶縁性)
    • 4.4 耐熱性
    • 4.5 紫外線不透過性
    • 4.6 低熱膨張率
  • 5. おわりに

• 索引