技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
視聴期間は2024年8月19日〜30日を予定しております。
お申し込みは2024年8月19日まで承ります。
本セミナーは、半導体デバイスの物理的洗浄に関して基礎から解説いたします。
半導体デバイスのマーケットの動向と業界動向から半導体の基礎、流体力学などの説明を行い、現在半導体デバイスの製造プロセスで使われている物理的洗浄について原理から丁寧に説明いたします。
近年、半導体デバイスの進化はものすごいスピードを進んでいます。このセミナーは半導体デバイスの物理的洗浄に関して説明を行います。セミナーでは半導体デバイスのマーケットの動向と業界動向から半導体の基礎、流体力学などの説明を行い、現在半導体デバイスの製造プロセスで使われている物理的洗浄について原理から丁寧に説明します。また講演者が専門としている半導体デバイス製造時の静電気障害の対策についても紹介します。基礎的なことからお話しますので、半導体デバイス洗浄に関わる3から4年の方や半導体デバイス洗浄にビジネスをお探しの方に最適かと思います。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2025/4/23 | 半導体パッケージの基礎と将来展望 | オンライン | |
2025/4/24 | クリーンルーム作業員の管理・教育とヒューマンエラー防止策 | オンライン | |
2025/4/24 | AI、MI、機械学習、データサイエンスなどを用いた半導体・電気電子分野における開発効率化、製造および品質向上への活用 | オンライン | |
2025/4/24 | 次世代パワーデバイス技術の展望と課題 | オンライン | |
2025/4/24 | クリーンルームにおけるゴミ・異物対策および静電気対策の基礎と実践 | オンライン | |
2025/4/24 | クリーンルームの維持管理と静電気対策の実際 | オンライン | |
2025/4/24 | パワー半導体用SiCの単結晶成長技術およびウェハ加工技術の開発動向 | オンライン | |
2025/4/24 | 半導体ウェット洗浄技術の基礎と乾燥技術、および最先端技術 | オンライン | |
2025/4/24 | 医薬品不純物管理のための許容量 (PDE) 設定の基礎と実践 | オンライン | |
2025/4/24 | 戦略的かつ効率的な原薬製造設備の洗浄プロセス設計と洗浄バリデーション | オンライン | |
2025/4/25 | 洗浄バリデーションにおける「残留許容値の設定」「ホールドタイム (DHT/CHT/SDT/SHT) の留意点」「ワーストケースロケーション (WCL) とスワブ数の例」「回収率テストの事例」 | オンライン | |
2025/4/25 | 半導体製造におけるプロセスインフォマティクスの活用技術 | オンライン | |
2025/4/30 | 自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 | オンライン | |
2025/4/30 | イチから学ぶ流体力学と圧力損失 | オンライン | |
2025/5/7 | クリーンルームの維持管理と静電気対策の実際 | オンライン | |
2025/5/8 | クリーンルーム作業員の管理・教育とヒューマンエラー防止策 | オンライン | |
2025/5/12 | 「洗浄バリデーション」「マルチパーパス設備洗浄評価基準」コース | オンライン | |
2025/5/12 | 超音波洗浄の基礎と効果的な活用方法 | オンライン | |
2025/5/12 | 高薬理活性物質を扱うマルチパーパス設備での洗浄評価基準と洗浄管理の留意点 | オンライン | |
2025/5/13 | 医薬品不純物管理のための許容量 (PDE) 設定の基礎と実践 | オンライン |
発行年月 | |
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1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
1991/3/1 | プリント配線板洗浄技術 |
1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
1989/3/1 | 有限要素法による磁気回路解析手法 |
1988/11/1 | EOS/ESD対策ハンドブック |
1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1987/9/1 | 磁気回路の計算法 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |