技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、パワー半導体用接合材料について取り上げ、はんだ、銀粒子、銅粒子、各材料の特性、実装技術と求められる信頼性について解説いたします。
(2024年4月11日 10:30〜12:00)
SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ (WBG) 半導体材料を利用し、省エネ高効率化と小型軽量化の双方を兼ね備えるパワーデバイスの実現には、実装の長期信頼性構築が不可欠である。そのため、WBGパワーデバイスが曝される200°C〜300°Cの高温度領域でも動作保証する放熱材料、構造、冷却技術の革新的な技術の開発と信頼性評価が必要となる。この講座では高耐熱と高熱伝導率の焼結Agペーストを紹介し、異なる異種材との接合の特徴、またそれによる接合構造の新展開、構造信頼性と大面積接合をわかりやすく、解説する。
(2024年4月11日 13:00〜14:30)
SiCパワーデバイスは、電力ロスが少ないため。パッケージ品の大電力密度化へ期待されている。この優れたSiCの特性を活かすためには、異種材との高耐熱・熱伝導接合が重要になる。さらに、実駆動を模擬した信頼性試験後も、特性保持し続ける必要がある。本講座は、銀焼成材の熱信頼性に焦点を当て、将来の新パッケージに必要な評価方法について説明する
(2024年4月11日 14:45〜16:15)
現在の半導体のバンプレス接合は大きく分けて2つにある。1つは接着剤を使わない直接接合方式、もう1つは接着剤を使った接合方式である。接着剤を使わない接合方式では非常に高度な平坦化技術と異物管理が必要であることに対して、接着剤を使った接合方式では、これらの高度なプロセス要求が不要である。一方で、接着剤に対する要求レベルは高く、特に耐熱性に対する要求値は一般的な有機樹脂では対応できないレベルである。
ここでは、半導体のバンプレス接合用途に向けた耐熱性樹脂の設計、評価など材料開発の基礎知識と、具体的な評価例について解説する。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
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| 発行年月 | |
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